雙射極電晶體英文解釋翻譯、雙射極電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 dual-emitter transistor

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

射極的英語翻譯：

【電】 emitter

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

雙射極電晶體（Dual-Emitter Transistor）是一種具有兩個獨立發射極區域的雙極結型晶體管（BJT），其英文名稱直接體現了結構特征。該器件在基極-發射極結的設計上采用分立的雙發射極布局，通常用于需要實現信號分路控制或邏輯運算的集成電路中。

從結構上看，雙射極電晶體通過在同一基區集成兩個發射極形成複合結構。兩個發射極可分别接入不同偏置電壓，這種設計使得集電極電流能根據兩個發射極的輸入信號進行疊加或抵消，特别適用于模拟信號混合電路。在數字電路中，該結構曾廣泛應用于晶體管-晶體管邏輯（TTL）門電路設計，通過控制發射極的導通狀态實現與非門功能。

根據IEEE固态電路期刊的器件模型分析，雙射極結構的關鍵參數包含發射極注入效率（γ）和基區輸運系數（α），其電流關系可表示為： $$ IC = β{F1}I{B1} + β{F2}I{B2} - (β{R1}+β{R2})I{CB0} $$ 其中β_F為正向電流增益，β_R為反向增益。這種非線性特性使其在混頻器等射頻電路中具有特殊應用價值。

在半導體發展史上，德州儀器工程師Baker于1962年發表的專利首次系統描述了雙發射極結構的制造工藝，該技術隨後被收錄于《微電子電路》（第5版）教材的晶體管器件章節，成為現代集成電路設計的基礎知識模塊之一。

網絡擴展解釋

“雙射極電晶體”是電子工程領域的專業術語，其含義和背景可結合搜索結果解釋如下：

1.基本定義

中文名稱：雙射極電晶體
英文翻譯：Dual-emitter transistor
結構特點：與普通晶體管（三極管）不同，它包含兩個發射極（Emitter），而基極（Base）和集電極（Collector）通常仍為單極結構。這種設計可能用于特殊電路需求，例如多信號輸入或增強電流控制能力。

2.晶體管的基礎功能

晶體管（Transistor）是一種半導體器件，核心功能包括信號放大、開關控制、穩壓等。其工作原理基于輸入電壓對輸出電流的調控，具有響應速度快（實驗室可達100GHz以上）和體積小的優勢。

3.雙射極的可能應用場景

雙射極結構可能用于以下場景：

多路信號處理：通過兩個發射極獨立控制不同信號路徑；
電流分配優化：在集成電路中實現更靈活的電流分配；
高頻電路設計：利用雙發射極提升高頻響應特性（參考普通晶體管的高頻性能）。

4.補充說明

術語來源：該詞屬于專業領域詞彙，常見于電子工程文獻或器件手冊；
技術發展：隨着半導體技術進步，類似多極結構可能被更複雜的集成電路替代，但在特定場景仍有應用價值。

如需進一步了解具體電路案例或參數，建議查閱電子器件手冊或專業文獻。