双射极电晶体英文解释翻译、双射极电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 dual-emitter transistor

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

射极的英语翻译：

【电】 emitter

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

双射极电晶体（Dual-Emitter Transistor）是一种具有两个独立发射极区域的双极结型晶体管（BJT），其英文名称直接体现了结构特征。该器件在基极-发射极结的设计上采用分立的双发射极布局，通常用于需要实现信号分路控制或逻辑运算的集成电路中。

从结构上看，双射极电晶体通过在同一基区集成两个发射极形成复合结构。两个发射极可分别接入不同偏置电压，这种设计使得集电极电流能根据两个发射极的输入信号进行叠加或抵消，特别适用于模拟信号混合电路。在数字电路中，该结构曾广泛应用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）门电路设计，通过控制发射极的导通状态实现与非门功能。

根据IEEE固态电路期刊的器件模型分析，双射极结构的关键参数包含发射极注入效率（γ）和基区输运系数（α），其电流关系可表示为： $$ IC = β{F1}I{B1} + β{F2}I{B2} - (β{R1}+β{R2})I{CB0} $$ 其中β_F为正向电流增益，β_R为反向增益。这种非线性特性使其在混频器等射频电路中具有特殊应用价值。

在半导体发展史上，德州仪器工程师Baker于1962年发表的专利首次系统描述了双发射极结构的制造工艺，该技术随后被收录于《微电子电路》（第5版）教材的晶体管器件章节，成为现代集成电路设计的基础知识模块之一。

网络扩展解释

“双射极电晶体”是电子工程领域的专业术语，其含义和背景可结合搜索结果解释如下：

1.基本定义

中文名称：双射极电晶体
英文翻译：Dual-emitter transistor
结构特点：与普通晶体管（三极管）不同，它包含两个发射极（Emitter），而基极（Base）和集电极（Collector）通常仍为单极结构。这种设计可能用于特殊电路需求，例如多信号输入或增强电流控制能力。

2.晶体管的基础功能

晶体管（Transistor）是一种半导体器件，核心功能包括信号放大、开关控制、稳压等。其工作原理基于输入电压对输出电流的调控，具有响应速度快（实验室可达100GHz以上）和体积小的优势。

3.双射极的可能应用场景

双射极结构可能用于以下场景：

多路信号处理：通过两个发射极独立控制不同信号路径；
电流分配优化：在集成电路中实现更灵活的电流分配；
高频电路设计：利用双发射极提升高频响应特性（参考普通晶体管的高频性能）。

4.补充说明

术语来源：该词属于专业领域词汇，常见于电子工程文献或器件手册；
技术发展：随着半导体技术进步，类似多极结构可能被更复杂的集成电路替代，但在特定场景仍有应用价值。

如需进一步了解具体电路案例或参数，建议查阅电子器件手册或专业文献。