雙擴散電晶體英文解釋翻譯、雙擴散電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 double-diffused transistor

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

雙擴散電晶體（Double-Diffused MOSFET，簡稱DMOS）是一種特殊結構的金屬-氧化物半導體場效應晶體管，其核心特征是通過兩次擴散工藝形成導電溝道。該技術通過控制P型與N型雜質的擴散深度和濃度分布，構建出垂直導電結構，使其兼具高壓耐受能力（可達千伏級）與大電流驅動特性（數十安培級别）。

從結構分析，DMOS包含以下關鍵層：

雙擴散區：采用磷（N型）和硼（P型）兩次選擇性擴散，形成精确的溝道長度控制，此工藝可縮小至亞微米級精度
外延層：在低摻雜襯底上生長高阻外延層，平衡導通電阻與擊穿電壓關系
多晶矽栅極：通過自對準工藝降低寄生電容

工業應用中，LDMOS（橫向雙擴散MOS）在射頻功率放大器領域占據主導地位，典型工作頻率覆蓋0.8-3.5GHz，功率增益達14dB以上。而VDMOS（垂直雙擴散MOS）則廣泛應用于開關電源模塊，轉換效率可達98%。

: IEEE電力電子學會術語标準 : 半導體器件物理（施敏著）第9章 : 國際微波研讨會論文集（IMS 2024） : 電力電子系統與技術（PELS）年度報告

網絡擴展解釋

“雙擴散電晶體”通常指雙擴散金屬氧化物半導體晶體管（Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor，簡稱DMOS），是一種特殊結構的功率半導體器件，主要用于高壓、大電流和高頻場景。以下是詳細解釋：

1.核心原理

雙擴散工藝：通過兩次不同摻雜（如硼和磷）的擴散過程，在矽片上形成溝道區和漂移區。兩次擴散的深度和濃度差異決定了器件的耐壓和導通特性。
結構特點：
- P-body區（第一次擴散）：形成晶體管的基區，控制溝道長度。
- N-漂移區（第二次擴散）：增加擊穿電壓，降低導通電阻。

2.關鍵優勢

高擊穿電壓：漂移區設計可承受數百至上千伏電壓，適用于功率轉換。
低導通電阻（R_DS(on)）：減少能量損耗，提升效率。
高頻性能：適合開關電源、射頻放大器等高頻應用。

3.類型與用途

橫向雙擴散（LDMOS）：
結構橫向延伸，用于射頻功率放大器（如通信基站）。
垂直雙擴散（VDMOS）：
結構縱向延伸，用于電源管理、電機驅動等高壓場景。

4.典型應用

電源轉換器：如AC/DC適配器、DC/DC轉換器。
汽車電子：電動汽車的電機控制、電池管理系統。
工業設備：變頻器、逆變器等大功率系統。

5.制造工藝

需精确控制兩次擴散的溫度、時間和摻雜濃度，通常結合離子注入和高溫退火技術，确保器件性能穩定。

若需進一步了解具體型號或電路設計，可參考功率半導體器件相關文獻或廠商手冊（如Infineon、TI等）。