双扩散电晶体英文解释翻译、双扩散电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 double-diffused transistor

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

双扩散电晶体（Double-Diffused MOSFET，简称DMOS）是一种特殊结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管，其核心特征是通过两次扩散工艺形成导电沟道。该技术通过控制P型与N型杂质的扩散深度和浓度分布，构建出垂直导电结构，使其兼具高压耐受能力（可达千伏级）与大电流驱动特性（数十安培级别）。

从结构分析，DMOS包含以下关键层：

双扩散区：采用磷（N型）和硼（P型）两次选择性扩散，形成精确的沟道长度控制，此工艺可缩小至亚微米级精度
外延层：在低掺杂衬底上生长高阻外延层，平衡导通电阻与击穿电压关系
多晶硅栅极：通过自对准工艺降低寄生电容

工业应用中，LDMOS（横向双扩散MOS）在射频功率放大器领域占据主导地位，典型工作频率覆盖0.8-3.5GHz，功率增益达14dB以上。而VDMOS（垂直双扩散MOS）则广泛应用于开关电源模块，转换效率可达98%。

: IEEE电力电子学会术语标准 : 半导体器件物理（施敏著）第9章 : 国际微波研讨会论文集（IMS 2024） : 电力电子系统与技术（PELS）年度报告

网络扩展解释

“双扩散电晶体”通常指双扩散金属氧化物半导体晶体管（Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor，简称DMOS），是一种特殊结构的功率半导体器件，主要用于高压、大电流和高频场景。以下是详细解释：

1.核心原理

双扩散工艺：通过两次不同掺杂（如硼和磷）的扩散过程，在硅片上形成沟道区和漂移区。两次扩散的深度和浓度差异决定了器件的耐压和导通特性。
结构特点：
- P-body区（第一次扩散）：形成晶体管的基区，控制沟道长度。
- N-漂移区（第二次扩散）：增加击穿电压，降低导通电阻。

2.关键优势

高击穿电压：漂移区设计可承受数百至上千伏电压，适用于功率转换。
低导通电阻（R_DS(on)）：减少能量损耗，提升效率。
高频性能：适合开关电源、射频放大器等高频应用。

3.类型与用途

横向双扩散（LDMOS）：
结构横向延伸，用于射频功率放大器（如通信基站）。
垂直双扩散（VDMOS）：
结构纵向延伸，用于电源管理、电机驱动等高压场景。

4.典型应用

电源转换器：如AC/DC适配器、DC/DC转换器。
汽车电子：电动汽车的电机控制、电池管理系统。
工业设备：变频器、逆变器等大功率系统。

5.制造工艺

需精确控制两次扩散的温度、时间和掺杂浓度，通常结合离子注入和高温退火技术，确保器件性能稳定。

若需进一步了解具体型号或电路设计，可参考功率半导体器件相关文献或厂商手册（如Infineon、TI等）。