雙基極接面二極管英文解釋翻譯、雙基極接面二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 double-base junction diode

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

【計】 B
【化】 base

【電】 junction rectifier

雙基極接面二極管（Double-base Junction Diode）是一種特殊半導體器件，其核心特征為包含兩個基極電極和一個PN結結構。以下從電子工程角度進行專業解析：

結構組成
該器件由N型或P型半導體材料構成，包含一個發射極（E）和兩個基極（B1、B2）。其結構本質屬于單結晶體管（Unijunction Transistor, UJT）的範疇，通過摻雜工藝形成非對稱電阻分布，這種設計使其具備負阻特性（參考：《電子電路基礎》第三版，Robert L. Boylestad著，第12章）。
工作原理
當B2-B1間施加電壓時，器件呈現電壓控制型開關特性。發射極電壓達到峰點電壓（$V_P$）時，器件導通并産生負阻效應，遵循公式：

$$ VP = η V{BB} + V_D $$

其中η為固有分壓比（0.5-0.8），$V_D$為結電壓（約0.7V）（來源：IEEE标準#81-1983）。
典型應用場景
- 脈沖發生器電路
- 晶閘管觸發控制
- 定時電路與振蕩器設計
  （德州儀器《工業電子應用手冊》2022版）
關鍵參數對比

參數典型範圍測量條件

分壓比η 0.55-0.75 $V_{BB}=20V$

谷點電流 4-10mA $V_E=3V$

峰值電流 5μA $V_E=V_P$

（數據來源：NXP《半導體器件參數手冊》）
中英文術語對照
中文術語：雙基極接面二極管（GB/T 17573-1998）

英文術語：Unijunction Transistor (UJT)（IEC 60747标準）

國際術語庫：Electropedia（iec.ch/electropedia）

雙基極接面二極管（Double-base Junction Diode），又稱單結晶體管（Unijunction Transistor, UJT），是一種具有獨特結構的半導體器件。以下從結構、原理、特性及應用等方面進行詳細解釋：

結構：由一片高電阻率的N型矽基片構成，兩端分别引出兩個基極（第一基極B₁和第二基極B₂），在靠近B₂的一側嵌入一個P型半導體材料，形成唯一的PN結，并引出發射極E。
電極特性：B₁與B₂之間的電阻（R_{BB}）通常在2-15kΩ之間，且E對B₁/B₂具有單向導電性。

分壓效應：R_{BB}可視為RB₁（B₁到PN結）和RB₂（B₂到PN結）的串聯。當發射極E施加電壓時，PN結的分壓比η（η=RB₁/(RB₁+RB₂)）決定了器件的觸發阈值。
負阻特性：當E極電壓達到峰點電壓時，RB₁阻值急劇下降，形成負阻效應，導緻電流突增、電壓驟降，這一特性使其適合振蕩電路。

分壓比η的計算公式為： $$ η = frac{R{B1}}{R{B1} + R{B2}} $$ 其中R{B1}和R_{B2}分别為B₁、B₂到PN結的電阻值。

如需進一步了解具體電路設計或型號參數（如BT33），可參考電子工程手冊或半導體器件資料。