突崩光電二極體英文解釋翻譯、突崩光電二極體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 avalanche photodiode

分詞翻譯：

突崩的英語翻譯：

【電】 avalanche effect; cumulative ionization

光電的英語翻譯：

photoelectricity
【醫】 photoelectricity

二的英語翻譯：

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

極體的英語翻譯：

【醫】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

專業解析

突崩光電二極體（Avalanche Photodiode, APD）是一種基于雪崩倍增效應的高靈敏度半導體光電器件，主要用于微弱光信號的探測與放大。其工作原理可分為三個核心階段：

光子吸收：入射光在PN結耗盡層内激發電子-空穴對，該過程與普通光電二極管類似。
雪崩倍增：施加反向偏壓接近擊穿電壓時，載流子在強電場中加速碰撞電離，引發鍊式反應，實現電流增益（通常達10²-10⁴倍）。該過程由電離系數α（電子）和β（空穴）共同決定，增益公式可表示為： $$ M = frac{1}{1 - int_0^W alpha dx} $$
信號輸出：倍增後的載流子形成可檢測的宏觀電流，信噪比顯著高于PIN光電二極管。

技術特性：

光譜響應範圍覆蓋400-1700nm，涵蓋可見光至近紅外波段
響應時間可達亞納秒級（<1ns）
需精密溫控以維持穩定的倍增因子
典型量子效率超過70%

應用領域：

光纖通信系統（尤其40G/100G高速傳輸）
激光雷達（LiDAR）測距模塊
單光子探測的量子通信設備
生物熒光檢測系統

權威參考文獻：

OSA Publishing關于APD噪聲因子的理論研究
IEEE Xplore收錄的矽基APD制造工藝改進方案
《Semiconductor Optoelectronic Devices》第2版（Prentice Hall）中的器件模型推導

網絡擴展解釋

“突崩光電二極體”可能是對“雪崩光電二極管”（Avalanche Photodiode，簡稱APD）的誤寫或翻譯差異。以下是其詳細解釋：

1.基本原理

雪崩光電二極管是一種利用雪崩倍增效應的高靈敏度光探測器。當光照射到PN結時，産生的電子-空穴對在強反向偏置電壓下被加速，與晶格碰撞電離産生更多載流子，形成電流的鍊式倍增，從而實現光信號的放大。

2.核心特點

高增益：通過雪崩效應可将光電流放大數百至上千倍，適合弱光探測。
快速響應：響應時間可達皮秒級，適用于高速光通信（如光纖通信）。
需高壓偏置：工作電壓接近擊穿電壓（幾十至幾百伏），需精密控制。

3.結構設計

APD通常采用分離吸收層與倍增層的結構：

吸收層：低電場區，光子被吸收并産生載流子。
倍增層：高電場區，發生雪崩效應，實現電流放大。

4.應用領域

光纖通信：用于長距離、高速光信號接收。
激光雷達（LiDAR）：提升微弱反射信號的檢測能力。
醫療成像：如低光條件下的生物熒光檢測。

5.局限性

噪聲較高：雪崩過程引入的隨機性會導緻噪聲增加。
溫度敏感：增益受溫度影響顯著，需溫控或補償電路。

若需進一步了解具體型號或技術參數，建議查閱光電探測器相關文獻或廠商資料。