突崩光电二极体英文解释翻译、突崩光电二极体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 avalanche photodiode

分词翻译：

突崩的英语翻译：

【电】 avalanche effect; cumulative ionization

光电的英语翻译：

photoelectricity
【医】 photoelectricity

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译：

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

专业解析

突崩光电二极体（Avalanche Photodiode, APD）是一种基于雪崩倍增效应的高灵敏度半导体光电器件，主要用于微弱光信号的探测与放大。其工作原理可分为三个核心阶段：

光子吸收：入射光在PN结耗尽层内激发电子-空穴对，该过程与普通光电二极管类似。
雪崩倍增：施加反向偏压接近击穿电压时，载流子在强电场中加速碰撞电离，引发链式反应，实现电流增益（通常达10²-10⁴倍）。该过程由电离系数α（电子）和β（空穴）共同决定，增益公式可表示为： $$ M = frac{1}{1 - int_0^W alpha dx} $$
信号输出：倍增后的载流子形成可检测的宏观电流，信噪比显著高于PIN光电二极管。

技术特性：

光谱响应范围覆盖400-1700nm，涵盖可见光至近红外波段
响应时间可达亚纳秒级（<1ns）
需精密温控以维持稳定的倍增因子
典型量子效率超过70%

应用领域：

光纤通信系统（尤其40G/100G高速传输）
激光雷达（LiDAR）测距模块
单光子探测的量子通信设备
生物荧光检测系统

权威参考文献：

OSA Publishing关于APD噪声因子的理论研究
IEEE Xplore收录的硅基APD制造工艺改进方案
《Semiconductor Optoelectronic Devices》第2版（Prentice Hall）中的器件模型推导

网络扩展解释

“突崩光电二极体”可能是对“雪崩光电二极管”（Avalanche Photodiode，简称APD）的误写或翻译差异。以下是其详细解释：

1.基本原理

雪崩光电二极管是一种利用雪崩倍增效应的高灵敏度光探测器。当光照射到PN结时，产生的电子-空穴对在强反向偏置电压下被加速，与晶格碰撞电离产生更多载流子，形成电流的链式倍增，从而实现光信号的放大。

2.核心特点

高增益：通过雪崩效应可将光电流放大数百至上千倍，适合弱光探测。
快速响应：响应时间可达皮秒级，适用于高速光通信（如光纤通信）。
需高压偏置：工作电压接近击穿电压（几十至几百伏），需精密控制。

3.结构设计

APD通常采用分离吸收层与倍增层的结构：

吸收层：低电场区，光子被吸收并产生载流子。
倍增层：高电场区，发生雪崩效应，实现电流放大。

4.应用领域

光纤通信：用于长距离、高速光信号接收。
激光雷达（LiDAR）：提升微弱反射信号的检测能力。
医疗成像：如低光条件下的生物荧光检测。

5.局限性

噪声较高：雪崩过程引入的随机性会导致噪声增加。
温度敏感：增益受温度影响显著，需温控或补偿电路。

若需进一步了解具体型号或技术参数，建议查阅光电探测器相关文献或厂商资料。