體光電導體英文解釋翻譯、體光電導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bulk photoconductor

分詞翻譯：

體的英語翻譯：

body; style; substance; system
【計】 body
【醫】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-

光電導體的英語翻譯：

【計】 PC
【化】 photoconductor

專業解析

體光電導體（Bulk Photoconductor）指在光照條件下，其整體材料内部電導率顯著增加的半導體或絕緣體材料。其核心特征是光生載流子（電子-空穴對）在材料體相内産生并遷移，導緻電導率上升，而非僅發生在表面或界面。該效應稱為體光電導效應（Bulk Photoconductivity），是光電探測器、成像傳感器等器件的物理基礎。

核心特征與機制：

體相響應：區别于表面光電導，光吸收和載流子生成發生在材料内部三維空間。光子能量需大于材料帶隙（Eg），使電子從價帶躍遷至導帶，形成自由電子和空穴。
載流子遷移：光生電子與空穴在電場作用下定向移動，形成光電流。載流子壽命（τ）和遷移率（μ）是關鍵參數，決定響應速度和靈敏度。
本征與非本征型：
- 本征體光電導：依賴材料自身能帶結構，如矽（Si）、砷化镓（GaAs）。
- 非本征體光電導：通過摻雜引入雜質能級，如摻金矽（Si:Au），可拓展紅外響應範圍。

典型應用：

輻射探測器：X射線、γ射線探測（如硒化镉CdSe探測器）。
成像傳感器：醫學CT掃描儀中的閃爍體-光電導體組合。
光敏電阻：基于硫化镉（CdS）的自動曝光控制元件。

權威定義參考：

國際電氣電子工程師學會（IEEE）：
Bulk photoconductivity arises from carrier generation throughout the material volume, distinct from surface-mediated effects.

IEEE Xplore Digital Library

材料科學經典教材：
S.O. Kasap 在 Principles of Electronic Materials and Devices 中定義：

"Bulk photoconductors rely on homogeneous photoexcitation across the entire thickness, requiring optimized carrier transport properties."

McGraw-Hill Education

光學工程手冊：
SPIE Field Guide to Photodetectors 指出：

"Bulk photoconductors exhibit higher gain but slower response compared to photodiodes, due to carrier transit time limitations."

SPIE Digital Library

補充說明：

術語“體”（Bulk）強調材料内部體積效應，與“薄膜”（Thin-film）或“表面”（Surface）光電導形成對比。其性能受晶體缺陷、雜質濃度及電極接觸特性顯著影響。更多技術細節可參考美國物理學會（APS）期刊 Physical Review B 相關研究。

網絡擴展解釋

“光電導體”是光敏導體的簡稱，指在光照條件下導電性顯著增強的一類特殊材料。以下從定義、原理、應用三方面詳細解釋：

核心定義
光電導體（Photoconductor）屬于半導體材料，常态下導電性較弱，但在吸收特定波長（如可見光、紅外線、紫外線）的電磁輻射後，内部自由電荷載流子數量激增，導電能力可提升數百至數萬倍。該特性使其成為光敏電阻的核心元件，在電路中起到“光控開關”作用。
工作原理
- 光電導效應：半導體材料吸收光子後，價帶電子躍遷至導帶，形成電子-空穴對，導緻電導率升高。
- 電路應用：通常串聯偏置電壓和負載電阻，光照變化引起電流變化，通過測量負載電壓可檢測光信號強弱。
典型應用
- 光敏傳感器：如自動照明系統、相機測光裝置。
- 光纖通信：光纜中的光導材料用于傳輸光信號（注：此處需注意光導體與光纖材料的區别）。
- 成像設備：激光打印機感光鼓使用硒或有機光電導材料實現靜電成像。

常見誤解辨析

與“導體”區别：普通導體（如金屬）無需光照即具備高導電性，而光電導體導電性依賴光照。
與“光纜”關系：光纜通過全反射傳輸光，屬于光波導而非光電導材料。

若需更專業的材料參數（如禁帶寬度、響應波長範圍），建議查閱《半導體物理》教材或光電工程手冊。