
[電子] 半導體二極管
Semiconductor diode plays an important role in many circuits.
半導體二極管在許多的電路中起着重要的作用。
The semiconductor diode array lasers are efficient, compact, all solid-state sources.
半導體二極管陣列激光器是高效、小型、全固态源。
A semiconductor diode array that is programmed by fusing or burning out diode junctions.
一種半導體二極管陣列,通過熔斷或燒斷二極管的結來實現編程過程。
A semiconductor diode array that is program med by fusing or burning out diode junctions.
一種半導體二極管陣列,通過熔斷或燒斷二極管的結來實現編程過程。
One of key problems is lasers cooling in researching high power semiconductor diode lasers.
大功率半導體激光器研制的關鍵問題之一就是散熱冷卻技術。
半導體二極管(semiconductor diode)是一種基于PN結原理制成的電子器件,其核心功能為允許電流單向導通。以下從結構、工作原理和應用三方面展開解釋:
1. 結構與材料特性 半導體二極管由P型半導體和N型半導體通過特殊工藝結合形成PN結。P型區域含大量空穴(受主雜質如硼),N型區域含富餘電子(施主雜質如磷)。兩種材料的接觸界面形成耗盡層,産生自建電場。這種結構特性使其具有單向導電性,材料選擇通常包括矽(Si)和砷化镓(GaAs)等化合物半導體。
2. 工作機理 • 正向偏置:當P區接電源正極、N區接負極時,外電場削弱耗盡層勢壘,多數載流子(P區空穴與N區電子)跨過勢壘形成導通電流(約0.3-0.7V壓降)。 • 反向偏置:極性反轉時耗盡層增寬,僅有微量少數載流子漂移電流(nA級)。當反向電壓超過擊穿阈值時可能發生雪崩或齊納擊穿。
3. 典型應用領域
該器件的溫度特性遵循肖克利方程:
$$ I = I_S(e^{frac{qV}{nkT}} - 1) $$
其中$I_S$為反向飽和電流,$n$為理想因子,$k$為玻爾茲曼常數,$T$為絕對溫度。
半導體二極管(Semiconductor Diode)是一種基于PN結的單向導電器件,由P型半導體和N型半導體結合而成。以下是其核心要點:
理想二極管方程(肖克利方程): $$ I = I_S left( e^{frac{V}{nV_T}} - 1 right) $$ 其中,( I_S )為反向飽和電流,( V_T )為熱電壓(約26mV@300K),( n )為發射系數(1~2)。
半導體二極管是電子電路的基礎元件,其特性由材料、摻雜和結構決定,廣泛用于能源轉換、信號處理及光電領域。
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