光電二極體，光敏二極管
For comparison, a standard silicon infrared photo diode has a response ratio of 10.
相比之下，标準矽紅外光電二極管的響應比為10。
The new device features a photo diode and a wide-band amplifier mounted within a 3-pin epoxy- encapsulated module with an integrated semi-cylindrical lens.
這款新型器件采用安裝在具有集成半柱型透鏡的3引腳環氧樹脂封裝模塊中的光電二極管及寬帶放大器。
A light (diode), is on or off, at one end, and a photo-resistor at the other end registers its state.
輕型（半導體），或者是客，一頭、照片登記在另一端的電阻狀态。
The operation principle of a detecting circuit in which avalanche photo-diode (APD) is used as photoelectric conversion device and the every part of the circuit are presented.
簡介一種以鍺雪崩光電二極管(APD)為光電轉換器件的探測器電路的工作原理，詳細介紹電路各組成部分的設計要求和設計要點。
The invention provides a photo sensor, a photodiode, a diode layer and a manufacture method thereof.
一種光傳感器、感光二極管、二極管層及其制造方法。
avalanche photodiode
雪崩光電二極管
|photosensitive diode;光電二極體，光敏二極管
光電二極管（Photodiode）是一種基于半導體材料的光電轉換器件，其核心功能是将入射光信號轉化為可測量的電流信號。它通過光電效應原理工作：當光子能量大于半導體材料的禁帶寬度時，光子被吸收并産生電子-空穴對，在反向偏置電壓或零偏置條件下形成光生電流。該現象符合肖克利二極管方程修正模型： $$ I = I0(e^{frac{qV}{nkT}} - 1) - I{ph} $$ 其中$I_{ph}$為光生電流，與入射光功率成正比。
光電二極管的關鍵特性包括：
在工程應用中，光電二極管作為核心元件廣泛用于光纖通信系統、醫療CT探測器、環境光傳感器等領域。其線性響應特性滿足光功率測量需求，例如在激光功率監測中誤差可控制在±0.5%以内（OSI Optoelectronics技術文檔PD-2100）。
根據搜索結果的綜合信息，以下是關于“photo diode”（光電二極管）的詳細解釋：
光電二極管（Photo Diode）是一種半導體器件，能将光信號轉換為電信號。其核心結構由PN結組成，但與普通二極管不同，它主要在反向電壓下工作，通過吸收光子産生電流。
根據結構差異，光電二極管可分為以下類型：
“photo diode”與“photodiode”是同一術語的不同拼寫形式，後者更常見于專業文獻。
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