光电二极体，光敏二极管
For comparison, a standard silicon infrared photo diode has a response ratio of 10.
相比之下，标准硅红外光电二极管的响应比为10。
The new device features a photo diode and a wide-band amplifier mounted within a 3-pin epoxy- encapsulated module with an integrated semi-cylindrical lens.
这款新型器件采用安装在具有集成半柱型透镜的3引脚环氧树脂封装模块中的光电二极管及宽带放大器。
A light (diode), is on or off, at one end, and a photo-resistor at the other end registers its state.
轻型（半导体），或者是客，一头、照片登记在另一端的电阻状态。
The operation principle of a detecting circuit in which avalanche photo-diode (APD) is used as photoelectric conversion device and the every part of the circuit are presented.
简介一种以锗雪崩光电二极管(APD)为光电转换器件的探测器电路的工作原理，详细介绍电路各组成部分的设计要求和设计要点。
The invention provides a photo sensor, a photodiode, a diode layer and a manufacture method thereof.
一种光传感器、感光二极管、二极管层及其制造方法。
avalanche photodiode
雪崩光电二极管
|photosensitive diode;光电二极体，光敏二极管
光电二极管（Photodiode）是一种基于半导体材料的光电转换器件，其核心功能是将入射光信号转化为可测量的电流信号。它通过光电效应原理工作：当光子能量大于半导体材料的禁带宽度时，光子被吸收并产生电子-空穴对，在反向偏置电压或零偏置条件下形成光生电流。该现象符合肖克利二极管方程修正模型： $$ I = I0(e^{frac{qV}{nkT}} - 1) - I{ph} $$ 其中$I_{ph}$为光生电流，与入射光功率成正比。
光电二极管的关键特性包括：
在工程应用中，光电二极管作为核心元件广泛用于光纤通信系统、医疗CT探测器、环境光传感器等领域。其线性响应特性满足光功率测量需求，例如在激光功率监测中误差可控制在±0.5%以内（OSI Optoelectronics技术文档PD-2100）。
根据搜索结果的综合信息，以下是关于“photo diode”（光电二极管）的详细解释：
光电二极管（Photo Diode）是一种半导体器件，能将光信号转换为电信号。其核心结构由PN结组成，但与普通二极管不同，它主要在反向电压下工作，通过吸收光子产生电流。
根据结构差异，光电二极管可分为以下类型：
“photo diode”与“photodiode”是同一术语的不同拼写形式，后者更常见于专业文献。
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