n. 存儲電阻器，電解存儲器
memistor（記憶電阻器）是由"memory"（記憶）和"resistor"（電阻器）組成的合成詞，指一種理論上的電子元件。該概念最早由美國電氣工程師Bernard Widrow于1960年提出，其核心特征是能夠根據流經的電荷量改變自身電阻值，并保持該狀态直至新的電荷輸入，這種"記憶"特性使其在自適應系統中具有潛在應用價值。
從工程學角度分析，memistor的工作原理包含三個基本要素：①電極間的導電介質會隨電流方向改變内部結構；②電阻變化量與電荷積分量成正比；③非易失性保持特性使其無需外部電源即可維持電阻狀态。這種特性與2008年發現的憶阻器（memristor）存在理論關聯，但memistor更強調在機器學習中的實際應用。
在控制工程領域，memistor曾被應用于早期自適應線性神經元（ADALINE）模型中，通過實時調整電阻值實現模式識别功能。現代神經形态計算研究指出，這種元件特性與生物神經突觸的可塑性存在相似性，為類腦芯片設計提供了物理實現基礎。美國電氣電子工程師協會（IEEE）的早期文獻記載顯示，memistor陣列可構成具有學習能力的模拟電路系統。
由于未搜索到與“memistor”目前無法提供該單詞的權威解釋。可能存在以下情況：
拼寫檢查
該詞可能是“memristor”（憶阻器）的拼寫錯誤。憶阻器是一種具有記憶功能的非線性電阻，由Leon Chua于1971年提出，近年來在神經形态計算領域有重要應用。
特殊領域術語
若拼寫無誤，可能是某專業領域（如電子工程、材料科學或科幻作品）中的小衆術語，需結合具體上下文進一步确認。
新詞或未收錄詞彙
不排除其為尚未被廣泛收錄的新概念或實驗性技術名稱。
建議：
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