光刻法英文解释翻译、光刻法的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 photolithography

分词翻译：

光的英语翻译：

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-

刻的英语翻译：

a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription

法的英语翻译：

dharma; divisor; follow; law; standard
【医】 method
【经】 law

专业解析

光刻法（Photolithography）是一种利用光学原理在基板表面精确制作微细图案的核心微纳加工技术。其汉英对应及专业解释如下：

一、术语定义

中文：光刻法
英文：Photolithography（或Optical Lithography）
核心含义：通过紫外光、深紫外光（DUV）或极紫外光（EUV）照射，将掩模版（Photomask）上的电路图案转移到涂覆光刻胶（Photoresist）的硅片表面，经显影后形成三维微结构的工艺过程。

二、工艺步骤详解

基板预处理
硅片清洁并涂覆光敏聚合物（光刻胶），分为正胶（曝光部分溶解）和负胶（未曝光部分溶解）。

来源：国际电气与电子工程师协会（IEEE）《半导体制造工艺指南》
曝光（Exposure）
通过投影光学系统将掩模版图案投射到光刻胶层，光源波长决定最小线宽（如193nm ArF激光用于7nm芯片）。

来源：国际光学工程学会（SPIE）《光刻技术原理》
显影（Development）
化学溶剂溶解曝光区域（正胶）或未曝光区域（负胶），形成物理图形，为后续刻蚀或离子注入提供模板。

三、技术应用与演进

应用领域：集成电路制造（CPU/GPU芯片）、MEMS器件、光学元件加工。
技术演进：
- DUV光刻：248nm KrF、193nm ArF光源，支撑7nm工艺。
- EUV光刻：13.5nm波长，突破5nm以下制程瓶颈，依赖多层反射镜系统。
  来源：《自然·电子学》期刊芯片制造技术综述

四、关键参数与挑战

分辨率公式：
$$ R = k_1 cdot frac{lambda}{NA} $$

其中 (lambda) 为光源波长，(NA) 为数值孔径，(k_1) 为工艺因子。

挑战：衍射极限、光刻胶化学稳定性、掩模缺陷补偿。
来源：美国化学学会（ACS）《光刻材料科学》

网络扩展解释

光刻法（Photolithography）是一种利用光学与化学反应的精密微细加工技术，主要用于半导体制造、集成电路生产等领域。以下是其核心要点：

1.定义与基本原理

光刻法通过光敏材料（光刻胶）的化学性质变化，将掩膜版上的图案转移到基片（如硅片）表面。其核心步骤包括：

曝光：用特定波长光源透过掩膜版照射光刻胶，引发光化学反应。
显影：溶解未曝光（或已曝光）区域的光刻胶，形成物理图案。
蚀刻：通过化学或物理方法去除未被光刻胶保护的材料层，最终形成所需结构。

2.技术特点

光刻胶类型：分为正胶（曝光部分可溶）和负胶（未曝光部分可溶），不同胶类适应不同工艺需求。
精度依赖：光源波长（如深紫外光、极紫外光）直接影响图案的最小线宽。

3.应用领域

半导体制造：用于芯片电路图形的微米/纳米级加工。
光学元件：如微透镜阵列、光波导器件的制备。
传感器与MEMS：微型机械结构的刻蚀与成型。

4.配套工艺

需与薄膜沉积、离子注入等工艺结合，完成完整的器件制造流程。

5.技术发展

从20世纪40年代晶体管发明起步，逐步演进至现代极紫外光刻（EUV），支撑了摩尔定律的延续。

如需更详细的技术参数或历史演变，（高权威性）及（发展背景）。