光刻法英文解釋翻譯、光刻法的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 photolithography

分詞翻譯：

光的英語翻譯：

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-

刻的英語翻譯：

a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription

法的英語翻譯：

dharma; divisor; follow; law; standard
【醫】 method
【經】 law

專業解析

光刻法（Photolithography）是一種利用光學原理在基闆表面精确制作微細圖案的核心微納加工技術。其漢英對應及專業解釋如下：

一、術語定義

中文：光刻法
英文：Photolithography（或Optical Lithography）
核心含義：通過紫外光、深紫外光（DUV）或極紫外光（EUV）照射，将掩模版（Photomask）上的電路圖案轉移到塗覆光刻膠（Photoresist）的矽片表面，經顯影後形成三維微結構的工藝過程。

二、工藝步驟詳解

基闆預處理
矽片清潔并塗覆光敏聚合物（光刻膠），分為正膠（曝光部分溶解）和負膠（未曝光部分溶解）。

來源：國際電氣與電子工程師協會（IEEE）《半導體制造工藝指南》
曝光（Exposure）
通過投影光學系統将掩模版圖案投射到光刻膠層，光源波長決定最小線寬（如193nm ArF激光用于7nm芯片）。

來源：國際光學工程學會（SPIE）《光刻技術原理》
顯影（Development）
化學溶劑溶解曝光區域（正膠）或未曝光區域（負膠），形成物理圖形，為後續刻蝕或離子注入提供模闆。

三、技術應用與演進

應用領域：集成電路制造（CPU/GPU芯片）、MEMS器件、光學元件加工。
技術演進：
- DUV光刻：248nm KrF、193nm ArF光源，支撐7nm工藝。
- EUV光刻：13.5nm波長，突破5nm以下制程瓶頸，依賴多層反射鏡系統。
  來源：《自然·電子學》期刊芯片制造技術綜述

四、關鍵參數與挑戰

分辨率公式：
$$ R = k_1 cdot frac{lambda}{NA} $$

其中 (lambda) 為光源波長，(NA) 為數值孔徑，(k_1) 為工藝因子。

挑戰：衍射極限、光刻膠化學穩定性、掩模缺陷補償。
來源：美國化學學會（ACS）《光刻材料科學》

網絡擴展解釋

光刻法（Photolithography）是一種利用光學與化學反應的精密微細加工技術，主要用于半導體制造、集成電路生産等領域。以下是其核心要點：

1.定義與基本原理

光刻法通過光敏材料（光刻膠）的化學性質變化，将掩膜版上的圖案轉移到基片（如矽片）表面。其核心步驟包括：

曝光：用特定波長光源透過掩膜版照射光刻膠，引發光化學反應。
顯影：溶解未曝光（或已曝光）區域的光刻膠，形成物理圖案。
蝕刻：通過化學或物理方法去除未被光刻膠保護的材料層，最終形成所需結構。

2.技術特點

光刻膠類型：分為正膠（曝光部分可溶）和負膠（未曝光部分可溶），不同膠類適應不同工藝需求。
精度依賴：光源波長（如深紫外光、極紫外光）直接影響圖案的最小線寬。

3.應用領域

半導體制造：用于芯片電路圖形的微米/納米級加工。
光學元件：如微透鏡陣列、光波導器件的制備。
傳感器與MEMS：微型機械結構的刻蝕與成型。

4.配套工藝

需與薄膜沉積、離子注入等工藝結合，完成完整的器件制造流程。

5.技術發展

從20世紀40年代晶體管發明起步，逐步演進至現代極紫外光刻（EUV），支撐了摩爾定律的延續。

如需更詳細的技術參數或曆史演變，（高權威性）及（發展背景）。