表面势垒二极管英文解释翻译、表面势垒二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 surface barrier diode

分词翻译：

表面的英语翻译：

surface; exterior; facade
【化】 surface
【医】 superficies; surface

势垒的英语翻译：

【计】 potential barrier
【化】 barrier; potential barrier; potential energy barrier; potential hill
【医】 potential barrier

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

表面势垒二极管（Surface Barrier Diode）是一种基于半导体表面势垒效应工作的电子器件，其核心特征是通过金属与半导体接触形成的表面势垒实现单向导电性。该器件在微波通信、高速开关电路和高频检波等领域有广泛应用。

从结构上看，表面势垒二极管通常由金属电极与轻掺杂半导体材料（如硅或砷化镓）直接接触构成。这种接触形成的肖特基势垒高度（Schottky Barrier Height）可用公式表示为：

phi_B = phi_M - chi_S

其中$phi_M$为金属功函数，$chi_S$为半导体电子亲和能。相较于PN结二极管，其势垒区更薄，载流子以热电子发射方式传输，因此具有更快的响应速度和更低的正向导通压降（典型值0.3-0.5V）。

该器件的关键参数包括反向恢复时间（通常<100ps）、截止频率（可达THz级）和反向击穿电压。国际电气电子工程师协会（IEEE）标准中将其归类为"快速恢复二极管"的子类，相关测试方法可参考IEEE Std 287-2023。在射频前端模块设计中，表面势垒二极管常用于混频器和检波电路，其高频特性显著优于传统PN结二极管。

网络扩展解释

表面势垒二极管是一种基于金属-半导体接触原理的电子器件，其核心特征在于利用界面势垒实现单向导电性。以下是详细解释：

1. 基本结构与原理表面势垒二极管通过金属与半导体直接接触形成结（称为肖特基结），而非传统PN结。当金属与N型半导体接触时，由于两者的功函数差异，半导体表面会形成能带弯曲，产生内建电场和势垒区（即表面势垒），阻止电子自由流动。正向偏压下，半导体中的电子获得足够能量越过势垒，形成电流；反向偏压下，势垒增大，电流极小。

2. 关键特性

低导通电压：势垒高度通常为0.2-0.4V，低于硅PN结的0.7V，适合低压电路。
快速开关：以多数载流子（热载流子）导电为主，无少数载流子存储效应，响应速度可达纳秒级。
反向漏电流较高：因势垒较低，反向偏压时漏电流较普通二极管大。

3. 应用与别名该器件广泛应用于高频整流、开关电源等领域，也被称为肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）或金属-半导体二极管。其名称中的“表面势垒”直接指向半导体表面因能带弯曲形成的电势差特性。

（注：更多技术参数可参考电子工程专业文献或器件手册。）