勾形电晶体英文解释翻译、勾形电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hook transistor

call to mind; cancel; collude; draw; induce; thicken; tick off

appear; body; compare; entity; form; look; shape
【医】 appearance; morpho-; shape

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

汉英词典释义：

勾形电晶体是结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）的通俗译名，因其内部结构中的导电沟道呈“勾形”而得名。它是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，通过栅极电压调节沟道宽度，实现电流的放大或开关功能。

结构特征：
- 由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）构成，栅极与沟道之间通过PN结隔离。
- 沟道形状类似“勾状”，栅极电压变化时，PN结耗尽区扩张，挤压沟道截面积，从而控制源漏电流。
- 分为N沟道JFET（电子导电）和P沟道JFET（空穴导电）两类。
工作模式：
- 耗尽型：默认导通，负栅压（N沟道）或正栅压（P沟道）可夹断沟道。
- 电流公式：
  $$
  
  ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right)
  
  $$
  
  其中 (I{DSS}) 为饱和漏电流，(V_P) 为夹断电压。

注：以上链接为示例格式，实际引用需替换为有效资源。建议通过IEEE Xplore、Springer等学术平台获取原文。

勾形电晶体是电子工程领域的专业术语，其英文对应词为"hook transistor"。该术语主要用于描述一种特定结构的晶体管，其名称来源于器件内部电极的物理形态特征——"勾形"指代半导体材料在制造过程中形成的钩状结构。

根据现有资料显示，这种晶体管结构在早期半导体器件中较为常见，其特点是通过特殊工艺形成钩状电极，以优化载流子的传输路径。这种设计可能应用于特定场景，如高频信号处理或功率放大电路，但现代半导体技术中已较少使用该术语。

由于该词属于专业领域词汇，建议需要深入理解的读者查阅《半导体器件物理》等专业书籍，或通过IEEE Xplore等学术平台获取最新研究进展。若需实际应用中的具体参数，可提供更具体的应用场景以便进一步分析。