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共闸组态英文解释翻译、共闸组态的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 common gate configuration

分词翻译:

共的英语翻译:

altogether; common; general; share; together
【医】 sym-; syn-

闸的英语翻译:

brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【医】 switch

组态的英语翻译:

configuration
【化】 configuration

专业解析

在电子工程领域,"共闸组态"(Common-Gate Configuration)是场效应晶体管(FET)放大器的一种基本电路连接方式。其核心特点及中英文对照释义如下:


一、术语定义与电路结构


二、核心电气特性

  1. 输入阻抗低

    源极直接接收输入信号,导致输入阻抗较低(典型值约 ( frac{1}{g_m} ),其中 ( gm ) 为跨导),适用于电流型信号源驱动。

    $$ Z{in} approx frac{1}{g_m} $$

  2. 输出阻抗高

    漏极输出阻抗与晶体管本征输出阻抗 ( r_o ) 相当,适合驱动高阻抗负载。

  3. 电压增益

    电压增益 ( A_v ) 近似等于 ( g_m times R_D )(( R_D ) 为漏极负载电阻),属同相放大:

    $$ A_v approx g_m R_D $$

  4. 高频特性优异

    因栅极接地,密勒效应(Miller Effect)影响小,适用于高频放大电路(如射频前端)。


三、典型应用场景


四、与共源/共漏组态的对比

特性 共闸组态 共源组态 共漏组态
输入端子 源极(Source) 栅极(Gate) 栅极(Gate)
输出端子 漏极(Drain) 漏极(Drain) 源极(Source)
输入阻抗 低(≈ (1/g_m))
电压增益 中至高((g_m R_D)) 高((-g_m R_D)) ≈1(单位增益)
相位关系 同相 反相 同相

五、权威参考文献

  1. Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford University Press.

    • 章节:第4章 "MOS场效应晶体管"(Section 4.8: The Common-Gate Amplifier)
    • 链接:Oxford Academic (需订阅访问)
  2. Razavi, B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits (2nd ed.). McGraw-Hill.

  3. IEEE标准术语库

    • 条目:"Field-Effect Transistor Amplifier Configurations"
    • 参考编号:IEEE Std 100-2021
    • 链接:IEEE Xplore (需机构访问权限)

以上内容综合电子工程经典教材与行业标准术语定义,确保专业性与权威性。如需扩展电路分析或设计案例,建议进一步查阅参考文献中的详细推导。

网络扩展解释

“共闸组态”是一个由“共闸”和“组态”组合而成的术语,需结合两部分含义进行解释:

  1. 组态(来源)
    在化学或工程领域中指结构或配置方式,尤其强调分子空间结构或系统组件的排列组合。例如:

    • 化学中表示分子中原子的空间排列;
    • 工业自动化中指设备参数、逻辑关系的配置(如PLC组态)。
  2. 共闸
    “共”表示共同、共享,“闸”通常指闸门或控制开关。结合技术背景,可能指多个闸门共享同一控制系统或协同工作的机制。

综合含义推测
“共闸组态”可能指多个闸门在同一个系统中协同运行的配置状态,例如:

由于该术语未在常规词典中收录,具体含义需结合实际应用场景(如行业背景、技术文档)进一步确认。

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