
【電】 common gate configuration
altogether; common; general; share; together
【醫】 sym-; syn-
brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【醫】 switch
configuration
【化】 configuration
在電子工程領域,"共閘組态"(Common-Gate Configuration)是場效應晶體管(FET)放大器的一種基本電路連接方式。其核心特點及中英文對照釋義如下:
英文術語:Common-Gate Configuration
定義:
指場效應管(FET)的栅極(Gate)直接接地或通過電容交流接地,輸入信號從源極(Source)注入,輸出信號從漏極(Drain)取出的放大電路結構。栅極作為輸入與輸出的公共參考點,故稱"共閘"。
輸入阻抗低
源極直接接收輸入信號,導緻輸入阻抗較低(典型值約 ( frac{1}{g_m} ),其中 ( gm ) 為跨導),適用于電流型信號源驅動。
$$ Z{in} approx frac{1}{g_m} $$
輸出阻抗高
漏極輸出阻抗與晶體管本征輸出阻抗 ( r_o ) 相當,適合驅動高阻抗負載。
電壓增益
電壓增益 ( A_v ) 近似等于 ( g_m times R_D )(( R_D ) 為漏極負載電阻),屬同相放大:
$$ A_v approx g_m R_D $$
高頻特性優異
因栅極接地,密勒效應(Miller Effect)影響小,適用于高頻放大電路(如射頻前端)。
特性 | 共閘組态 | 共源組态 | 共漏組态 |
---|---|---|---|
輸入端子 | 源極(Source) | 栅極(Gate) | 栅極(Gate) |
輸出端子 | 漏極(Drain) | 漏極(Drain) | 源極(Source) |
輸入阻抗 | 低(≈ (1/g_m)) | 高 | 高 |
電壓增益 | 中至高((g_m R_D)) | 高((-g_m R_D)) | ≈1(單位增益) |
相位關系 | 同相 | 反相 | 同相 |
Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford University Press.
Razavi, B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits (2nd ed.). McGraw-Hill.
IEEE标準術語庫
以上内容綜合電子工程經典教材與行業标準術語定義,确保專業性與權威性。如需擴展電路分析或設計案例,建議進一步查閱參考文獻中的詳細推導。
“共閘組态”是一個由“共閘”和“組态”組合而成的術語,需結合兩部分含義進行解釋:
組态(來源)
在化學或工程領域中指結構或配置方式,尤其強調分子空間結構或系統組件的排列組合。例如:
共閘
“共”表示共同、共享,“閘”通常指閘門或控制開關。結合技術背景,可能指多個閘門共享同一控制系統或協同工作的機制。
綜合含義推測
“共閘組态”可能指多個閘門在同一個系統中協同運行的配置狀态,例如:
由于該術語未在常規詞典中收錄,具體含義需結合實際應用場景(如行業背景、技術文檔)進一步确認。
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