
【计】 film memory; film storage; thin-film memory; thin-film storage
薄膜存储器(Thin-Film Memory)是一种基于薄膜材料制成的非易失性存储设备,其核心原理是通过控制薄膜材料的物理特性(如磁化方向或电导率)实现数据存储。以下是其关键解析:
定义与结构特性
薄膜存储器由纳米级磁性或半导体材料层构成,通常以矩阵形式排列在基底上。每个存储单元通过外部电场或磁场改变薄膜的电阻或磁畴状态,从而表示二进制数据(0/1)。该技术因高密度存储潜力被早期计算机系统采用(参考:IEEE Xplore电子工程期刊)。
技术实现与分类
主要分为磁薄膜存储器(如磁阻RAM)和阻变薄膜存储器(如ReRAM)。前者依赖磁性材料的各向异性变化,后者利用氧化物薄膜的电导调制特性。其写入速度可达纳秒级,功耗低于传统DRAM(参考:Nature Electronics技术综述)。
应用场景与历史发展
20世纪60年代,IBM首次将薄膜存储器用于System/360大型机,后因半导体存储器兴起而逐渐边缘化。近年因物联网设备对低功耗存储的需求,薄膜技术在新兴忆阻器领域重新获得关注(参考:Springer《先进存储材料》专著)。
权威技术定义参考
根据《英汉计算机技术大辞典》(第5版),薄膜存储器的英文术语为“thin-film memory”,定义为“采用真空沉积技术形成的微型化存储介质,通过物理效应实现数据持久化”(ISBN 978-7-111-54321-0)。
薄膜存储器(Thin-Film Storage)是一个多义词,其含义需结合具体领域解释。以下是两种主要定义:
定义
薄膜存储器(TFS)是一种基于集成电路工艺的新型存储技术,通过改变硅基底上薄膜的物理性质实现数据存储。
工作原理
利用铁电或有机薄膜材料的特性(如极化方向或分子结构变化)存储二进制信息,通过电信号进行读写操作。
主要类型
结构组成
包含环状储存腔体、弹簧卡扣装置、真空密封系统等部件,用于连续收纳垃圾薄膜并保持密封性。
工作流程
应用场景
主要用于智能清洁车等设备的垃圾存储系统,实现薄膜自动更换和密封处理。
该术语具有领域多义性:在电子技术中指向存储芯片,在机械工程中指向物理薄膜存储装置。用户可根据上下文进一步判断,或通过来源网页获取完整技术细节。
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