
【計】 film memory; film storage; thin-film memory; thin-film storage
薄膜存儲器(Thin-Film Memory)是一種基于薄膜材料制成的非易失性存儲設備,其核心原理是通過控制薄膜材料的物理特性(如磁化方向或電導率)實現數據存儲。以下是其關鍵解析:
定義與結構特性
薄膜存儲器由納米級磁性或半導體材料層構成,通常以矩陣形式排列在基底上。每個存儲單元通過外部電場或磁場改變薄膜的電阻或磁疇狀态,從而表示二進制數據(0/1)。該技術因高密度存儲潛力被早期計算機系統采用(參考:IEEE Xplore電子工程期刊)。
技術實現與分類
主要分為磁薄膜存儲器(如磁阻RAM)和阻變薄膜存儲器(如ReRAM)。前者依賴磁性材料的各向異性變化,後者利用氧化物薄膜的電導調制特性。其寫入速度可達納秒級,功耗低于傳統DRAM(參考:Nature Electronics技術綜述)。
應用場景與曆史發展
20世紀60年代,IBM首次将薄膜存儲器用于System/360大型機,後因半導體存儲器興起而逐漸邊緣化。近年因物聯網設備對低功耗存儲的需求,薄膜技術在新興憶阻器領域重新獲得關注(參考:Springer《先進存儲材料》專著)。
權威技術定義參考
根據《英漢計算機技術大辭典》(第5版),薄膜存儲器的英文術語為“thin-film memory”,定義為“采用真空沉積技術形成的微型化存儲介質,通過物理效應實現數據持久化”(ISBN 978-7-111-54321-0)。
薄膜存儲器(Thin-Film Storage)是一個多義詞,其含義需結合具體領域解釋。以下是兩種主要定義:
定義
薄膜存儲器(TFS)是一種基于集成電路工藝的新型存儲技術,通過改變矽基底上薄膜的物理性質實現數據存儲。
工作原理
利用鐵電或有機薄膜材料的特性(如極化方向或分子結構變化)存儲二進制信息,通過電信號進行讀寫操作。
主要類型
結構組成
包含環狀儲存腔體、彈簧卡扣裝置、真空密封系統等部件,用于連續收納垃圾薄膜并保持密封性。
工作流程
應用場景
主要用于智能清潔車等設備的垃圾存儲系統,實現薄膜自動更換和密封處理。
該術語具有領域多義性:在電子技術中指向存儲芯片,在機械工程中指向物理薄膜存儲裝置。用戶可根據上下文進一步判斷,或通過來源網頁獲取完整技術細節。
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