半导体探测器英文解释翻译、半导体探测器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 solid-state detector

分词翻译：

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

探测器的英语翻译：

【计】 prober
【化】 detector
【医】 detector

专业解析

半导体探测器（Semiconductor Detector）是一种基于半导体材料电离效应的高精度辐射测量装置，广泛应用于核物理、医学成像及环境监测等领域。其核心原理是当带电粒子或光子穿过半导体材料（如硅、锗或化合物半导体）时，会在材料中产生电子-空穴对，通过外加电场收集这些电荷并转化为电信号进行测量。

关键技术特性

能量分辨率：半导体探测器因材料禁带宽度窄（如硅为1.12eV），对低能射线具有更高的灵敏度，典型能量分辨率可达0.1%-2%，优于传统闪烁体探测器（国家标准GB/T 4960-2025《核科学技术术语》）。
响应速度：电荷收集时间可缩短至纳秒级，适用于高计数率场景，如欧洲核子研究中心（CERN）大型强子对撞机中的顶点探测器系统。
结构类型：包括PN结型、锂漂移型（如Ge(Li)）及化合物半导体型（如CdTe），其中碲锌镉（CZT）探测器在X射线光谱分析中表现突出（美国物理学会《应用物理评论》2024年综述）。

典型应用场景

医学诊断：CT扫描仪采用硅像素探测器实现亚毫米级空间分辨率
空间探测：NASA费米伽马射线太空望远镜使用锗基探测器捕捉高能宇宙射线
工业检测：德国联邦材料研究院（BAM）使用CdTe探测器进行焊接缺陷无损检测

国际标准化组织ISO 18589-7:2024明确规定半导体探测器在环境辐射监测中的校准方法，相关技术参数可参考美国国家标准技术研究院（NIST）最新发布的《辐射测量设备性能规范》。

网络扩展解释

半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器，主要用于测量带电粒子或光子的能量与性质。以下是综合多个来源的详细解释：

1.基本原理

当带电粒子或射线进入半导体材料（如硅、锗）时，会在灵敏区内电离产生电子-空穴对。在外加电场作用下，这些载流子向电极移动，形成电信号脉冲。信号强度与入射粒子的能量损失成正比，因此可通过电信号反推粒子能量。

2.发展历史

早期探索：20世纪初发现固体电介质的核辐射电导现象，金刚石、氯化银等晶体计数器被发明，但因极化效应难以实用。
突破阶段：1958年首个金硅面垒型探测器问世，1960年代锂漂移型探测器研制成功，推动技术快速发展。

3.主要类型

P-N结型：如金硅面垒探测器，利用接触电势差形成耗尽层作为灵敏区，适合α粒子探测。
锂漂移型：通过锂补偿增大灵敏体积，锗（锂）用于γ射线探测，需低温工作。
高纯锗型：材料提纯技术进步后可直接使用，工艺简单且常温保存。

4.优缺点

优点：
- 能量分辨率极高（优于气体和闪烁探测器）；
- 探测效率高、响应快、体积小巧。
缺点：
- 灵敏区尺寸受限，难以大型化；
- 易受辐射损伤，成本较高。

5.应用与现状

主要用于核物理实验、医学成像、环境监测等领域。近年来，高纯锗探测器等技术进步提升了性能，但成本与抗辐照能力仍是研发重点。

如需更完整的分类或技术细节，可参考（搜狗百科）和（三个皮匠报告）的详细说明。