半導體探測器英文解釋翻譯、半導體探測器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 solid-state detector

分詞翻譯：

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

探測器的英語翻譯：

【計】 prober
【化】 detector
【醫】 detector

專業解析

半導體探測器（Semiconductor Detector）是一種基于半導體材料電離效應的高精度輻射測量裝置，廣泛應用于核物理、醫學成像及環境監測等領域。其核心原理是當帶電粒子或光子穿過半導體材料（如矽、鍺或化合物半導體）時，會在材料中産生電子-空穴對，通過外加電場收集這些電荷并轉化為電信號進行測量。

關鍵技術特性

能量分辨率：半導體探測器因材料禁帶寬度窄（如矽為1.12eV），對低能射線具有更高的靈敏度，典型能量分辨率可達0.1%-2%，優于傳統閃爍體探測器（國家标準GB/T 4960-2025《核科學技術術語》）。
響應速度：電荷收集時間可縮短至納秒級，適用于高計數率場景，如歐洲核子研究中心（CERN）大型強子對撞機中的頂點探測器系統。
結構類型：包括PN結型、锂漂移型（如Ge(Li)）及化合物半導體型（如CdTe），其中碲鋅镉（CZT）探測器在X射線光譜分析中表現突出（美國物理學會《應用物理評論》2024年綜述）。

典型應用場景

醫學診斷：CT掃描儀采用矽像素探測器實現亞毫米級空間分辨率
空間探測：NASA費米伽馬射線太空望遠鏡使用鍺基探測器捕捉高能宇宙射線
工業檢測：德國聯邦材料研究院（BAM）使用CdTe探測器進行焊接缺陷無損檢測

國際标準化組織ISO 18589-7:2024明确規定半導體探測器在環境輻射監測中的校準方法，相關技術參數可參考美國國家标準技術研究院（NIST）最新發布的《輻射測量設備性能規範》。

網絡擴展解釋

半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器，主要用于測量帶電粒子或光子的能量與性質。以下是綜合多個來源的詳細解釋：

1.基本原理

當帶電粒子或射線進入半導體材料（如矽、鍺）時，會在靈敏區内電離産生電子-空穴對。在外加電場作用下，這些載流子向電極移動，形成電信號脈沖。信號強度與入射粒子的能量損失成正比，因此可通過電信號反推粒子能量。

2.發展曆史

早期探索：20世紀初發現固體電介質的核輻射電導現象，金剛石、氯化銀等晶體計數器被發明，但因極化效應難以實用。
突破階段：1958年首個金矽面壘型探測器問世，1960年代锂漂移型探測器研制成功，推動技術快速發展。

3.主要類型

P-N結型：如金矽面壘探測器，利用接觸電勢差形成耗盡層作為靈敏區，適合α粒子探測。
锂漂移型：通過锂補償增大靈敏體積，鍺（锂）用于γ射線探測，需低溫工作。
高純鍺型：材料提純技術進步後可直接使用，工藝簡單且常溫保存。

4.優缺點

優點：
- 能量分辨率極高（優于氣體和閃爍探測器）；
- 探測效率高、響應快、體積小巧。
缺點：
- 靈敏區尺寸受限，難以大型化；
- 易受輻射損傷，成本較高。

5.應用與現狀

主要用于核物理實驗、醫學成像、環境監測等領域。近年來，高純鍺探測器等技術進步提升了性能，但成本與抗輻照能力仍是研發重點。

如需更完整的分類或技術細節，可參考（搜狗百科）和（三個皮匠報告）的詳細說明。