点接面晶体管英文解释翻译、点接面晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 point-junction transistor

分词翻译：

点的英语翻译：

a little; dot; drop; feature; particle; point; spot
【计】 distributing point; dot; PT
【医】 point; puncta; punctum; spot
【经】 point; pt

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

点接面晶体管（Point-contact transistor）是半导体器件发展史上的重要里程碑，其核心结构由金属触针与半导体基底接触形成。该器件于1947年由贝尔实验室的约翰·巴丁（John Bardeen）、沃尔特·布拉顿（Walter Brattain）和威廉·肖克利（William Shockley）首次成功实现，标志着固态电子学时代的开端（来源：IEEE电子器件协会）。

在汉英词典中，"点接面"对应"point-contact"，指通过机械加压形成的微小金属-半导体接触点；"晶体管"译为"transistor"，源自"transfer resistor"的缩写，体现其通过半导体材料实现电阻转换的特性。这种晶体管利用锗晶体表面形成的空穴导电层，通过两根金制触针分别作为发射极和集电极，基底作为基极，实现电流放大功能（来源：《半导体物理与器件》第四版）。

其工作原理基于少数载流子注入效应：当发射极触针施加正向偏压时，空穴被注入基区，并在集电极电场作用下形成放大电流。但由于接触点稳定性差、噪声系数高，该结构在1951年后逐渐被结型晶体管取代。现代半导体教科书中常将其作为双极型晶体管的原型进行理论分析（来源：MIT开放式课程6.002）。

网络扩展解释

“点接面晶体管”这一术语可能存在翻译或表述误差，更常见的相关概念是点接触晶体管（Point-Contact Transistor），它是早期晶体管的一种重要类型。以下是综合解释：

基本定义
点接触晶体管是1947年由贝尔实验室发明的首个晶体管类型，由半导体材料（如锗）和金属触须构成。其结构包含两个金属触须（如磷青铜丝）与半导体表面形成点接触，分别作为发射极和集电极，基极则连接至半导体基片。
工作原理
通过金属触须与半导体接触形成微小区域，利用电场调节电流。当输入信号施加到发射极时，触须接触点的电场变化会控制集电极电流，从而实现信号放大或开关功能。
特点与局限性
- 优点：结构简单，早期用于高频信号处理。
- 缺点：稳定性差、制造工艺复杂且难以批量生产，后被更可靠的双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）取代。
历史意义
点接触晶体管的发明标志着电子技术从真空管向半导体器件的过渡，为现代集成电路奠定了基础。

建议：若需进一步了解晶体管发展史或技术细节，可参考电子工程领域的权威文献或教材。