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等平面工艺英文解释翻译、等平面工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 isoplanar process

分词翻译:

等的英语翻译:

class; grade; rank; wait; when
【机】 iso-

平面工艺的英语翻译:

【计】 planar process; planar technology

专业解析

等平面工艺(Planar Process)是半导体制造领域的关键技术,指通过光刻、氧化、扩散等步骤在单晶硅片上形成多层平面结构的集成电路制造工艺。该工艺由英特尔创始人罗伯特·诺伊斯于1959年提出,奠定了现代芯片制造的基础。

其核心特征包括:

  1. 多层平面结构:通过二氧化硅层实现器件间的电隔离,取代早期台面工艺的三维结构,提升器件密度和可靠性(IEEE Xplore电子工程期刊)
  2. 标准化流程:整合氧化、光刻、离子注入等步骤,实现批量生产(美国半导体行业协会技术白皮书)
  3. 应用扩展:从早期双极型晶体管发展到CMOS工艺,支撑微处理器、存储器等现代电子器件制造(英特尔公司技术档案)

该工艺通过《半导体器件制造方法》专利(US2981877A)确立了现代集成电路的制造范式,2011年被IEEE列入"改变人类文明的十大半导体技术"(IEEE里程碑项目)。

网络扩展解释

等平面工艺是半导体制造领域的一种关键技术,主要用于器件隔离和结构优化。以下是其核心解释:

  1. 定义与技术背景
    等平面工艺(Isoplanar Process)是20世纪70年代由美国费尔查尔德公司(Fairchild)提出的新型隔离工艺。它属于平面工艺的改进版本,通过在晶圆表面形成平坦化的结构,解决传统平面工艺中因台阶效应导致的器件性能下降问题。

  2. 核心应用领域
    主要用于半导体器件(如晶体管)和集成电路制造,尤其适用于低电容、高可靠性的场景。例如,通过金属剥离技术与介质填充结合,可减少寄生电容并提升器件稳定性。

  3. 技术优势

    • 平坦化结构:消除传统工艺中因氧化层厚度差异引起的表面不平整,提升后续光刻和金属化工艺的精度。
    • 隔离效果增强:通过介质填充(如二氧化硅)实现更有效的器件间电隔离,减少漏电流。
    • 兼容性高:可与其他半导体工艺(如离子注入)结合,适用于高密度集成电路生产。
  4. 发展意义
    该工艺被认为是半导体隔离技术十年来的重要突破,推动了集成电路向更高集成度方向发展,并为现代微电子器件的微型化奠定了基础。

若需进一步了解具体工艺流程或学术研究进展,可参考知网百科及道客巴巴文献。

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