
【计】 isoplanar process
class; grade; rank; wait; when
【机】 iso-
【计】 planar process; planar technology
等平面工艺(Planar Process)是半导体制造领域的关键技术,指通过光刻、氧化、扩散等步骤在单晶硅片上形成多层平面结构的集成电路制造工艺。该工艺由英特尔创始人罗伯特·诺伊斯于1959年提出,奠定了现代芯片制造的基础。
其核心特征包括:
该工艺通过《半导体器件制造方法》专利(US2981877A)确立了现代集成电路的制造范式,2011年被IEEE列入"改变人类文明的十大半导体技术"(IEEE里程碑项目)。
等平面工艺是半导体制造领域的一种关键技术,主要用于器件隔离和结构优化。以下是其核心解释:
定义与技术背景
等平面工艺(Isoplanar Process)是20世纪70年代由美国费尔查尔德公司(Fairchild)提出的新型隔离工艺。它属于平面工艺的改进版本,通过在晶圆表面形成平坦化的结构,解决传统平面工艺中因台阶效应导致的器件性能下降问题。
核心应用领域
主要用于半导体器件(如晶体管)和集成电路制造,尤其适用于低电容、高可靠性的场景。例如,通过金属剥离技术与介质填充结合,可减少寄生电容并提升器件稳定性。
技术优势
发展意义
该工艺被认为是半导体隔离技术十年来的重要突破,推动了集成电路向更高集成度方向发展,并为现代微电子器件的微型化奠定了基础。
若需进一步了解具体工艺流程或学术研究进展,可参考知网百科及道客巴巴文献。
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