等平面工藝英文解釋翻譯、等平面工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 isoplanar process

class; grade; rank; wait; when
【機】 iso-

【計】 planar process; planar technology

等平面工藝（Planar Process）是半導體制造領域的關鍵技術，指通過光刻、氧化、擴散等步驟在單晶矽片上形成多層平面結構的集成電路制造工藝。該工藝由英特爾創始人羅伯特·諾伊斯于1959年提出，奠定了現代芯片制造的基礎。

其核心特征包括：

該工藝通過《半導體器件制造方法》專利（US2981877A）确立了現代集成電路的制造範式，2011年被IEEE列入"改變人類文明的十大半導體技術"（IEEE裡程碑項目）。

等平面工藝是半導體制造領域的一種關鍵技術，主要用于器件隔離和結構優化。以下是其核心解釋：

定義與技術背景
等平面工藝（Isoplanar Process）是20世紀70年代由美國費爾查爾德公司（Fairchild）提出的新型隔離工藝。它屬于平面工藝的改進版本，通過在晶圓表面形成平坦化的結構，解決傳統平面工藝中因台階效應導緻的器件性能下降問題。
核心應用領域
主要用于半導體器件（如晶體管）和集成電路制造，尤其適用于低電容、高可靠性的場景。例如，通過金屬剝離技術與介質填充結合，可減少寄生電容并提升器件穩定性。
技術優勢
- 平坦化結構：消除傳統工藝中因氧化層厚度差異引起的表面不平整，提升後續光刻和金屬化工藝的精度。
- 隔離效果增強：通過介質填充（如二氧化矽）實現更有效的器件間電隔離，減少漏電流。
- 兼容性高：可與其他半導體工藝（如離子注入）結合，適用于高密度集成電路生産。
發展意義
該工藝被認為是半導體隔離技術十年來的重要突破，推動了集成電路向更高集成度方向發展，并為現代微電子器件的微型化奠定了基礎。

若需進一步了解具體工藝流程或學術研究進展，可參考知網百科及道客巴巴文獻。