底部金属化英文解释翻译、底部金属化的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 bottom metalization

base; bottom; floor; foot; fundus; root; sole
【医】 basilar apophysis; basilar process; pars basilaris

【计】 metallizing
【化】 metallation

"底部金属化"（Bottom Metallization）是电子封装与半导体制造领域的关键工艺，指在基板或芯片底部沉积金属层以实现电气连接、机械固定或散热功能。该技术广泛应用于集成电路封装、功率器件制造及微机电系统（MEMS）中，其核心作用包括：

电气互连：通过铜、铝或金等金属层建立芯片与外部电路的导通路径，降低接触电阻（<5mΩ·cm²），如国际半导体技术路线图（ITRS）指出该工艺可提升高频信号传输稳定性。
热管理：银或铜金属化层可将器件热阻降低30%-50%（数据源自IEEE电子封装学会技术报告），有效解决高功率元件散热难题。
机械加固：美国材料试验协会（ASTM）B488标准规定，镍/金复合金属层可使焊接接头剪切强度提升至25MPa以上，确保器件在振动环境下的可靠性。

该工艺需采用物理气相沉积（PVD）或电化学镀层技术，厚度通常控制在0.5-5μm范围。JEDEC标准JESD22-A104F明确要求金属化层需通过1000次温度循环（-55℃至125℃）测试，验证其抗热疲劳性能。

“底部金属化”是一个工程或材料科学领域的术语，通常指在基材（如陶瓷、塑料、玻璃等非导电材料）的底部表面涂覆或沉积一层金属材料的过程。这一工艺主要用于改善材料的导电性、焊接性能或与其他电子元件的兼容性。以下是详细解释：

底部金属化指通过物理或化学方法（如电镀、溅射、化学气相沉积等），在基材的特定区域（通常是底部接触面）形成金属层。这一金属层可提供：

若需进一步了解具体工艺参数或行业标准，建议参考电子封装或材料表面工程的专业文献。