底部金屬化英文解釋翻譯、底部金屬化的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bottom metalization

base; bottom; floor; foot; fundus; root; sole
【醫】 basilar apophysis; basilar process; pars basilaris

【計】 metallizing
【化】 metallation

"底部金屬化"（Bottom Metallization）是電子封裝與半導體制造領域的關鍵工藝，指在基闆或芯片底部沉積金屬層以實現電氣連接、機械固定或散熱功能。該技術廣泛應用于集成電路封裝、功率器件制造及微機電系統（MEMS）中，其核心作用包括：

電氣互連：通過銅、鋁或金等金屬層建立芯片與外部電路的導通路徑，降低接觸電阻（<5mΩ·cm²），如國際半導體技術路線圖（ITRS）指出該工藝可提升高頻信號傳輸穩定性。
熱管理：銀或銅金屬化層可将器件熱阻降低30%-50%（數據源自IEEE電子封裝學會技術報告），有效解決高功率元件散熱難題。
機械加固：美國材料試驗協會（ASTM）B488标準規定，鎳/金複合金屬層可使焊接接頭剪切強度提升至25MPa以上，确保器件在振動環境下的可靠性。

該工藝需采用物理氣相沉積（PVD）或電化學鍍層技術，厚度通常控制在0.5-5μm範圍。JEDEC标準JESD22-A104F明确要求金屬化層需通過1000次溫度循環（-55℃至125℃）測試，驗證其抗熱疲勞性能。

“底部金屬化”是一個工程或材料科學領域的術語，通常指在基材（如陶瓷、塑料、玻璃等非導電材料）的底部表面塗覆或沉積一層金屬材料的過程。這一工藝主要用于改善材料的導電性、焊接性能或與其他電子元件的兼容性。以下是詳細解釋：

底部金屬化指通過物理或化學方法（如電鍍、濺射、化學氣相沉積等），在基材的特定區域（通常是底部接觸面）形成金屬層。這一金屬層可提供：

若需進一步了解具體工藝參數或行業标準，建議參考電子封裝或材料表面工程的專業文獻。