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存储器存取速度英文解释翻译、存储器存取速度的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 memory access rate

分词翻译:

存储器存取的英语翻译:

【计】 memory access; storage access

速度的英语翻译:

career; pace; quickness; rapidity; rate; speed; velocity
【化】 velocity
【医】 rate; speed; velocity

专业解析

存储器存取速度(Memory Access Speed)指计算机从存储设备中读取或写入数据所需的时间,是衡量存储器性能的核心指标。其详细解释如下:

一、术语定义与中英对照

  1. 存储器(Memory)

    计算机中用于存储程序与数据的硬件设备,包括内存(RAM)、缓存(Cache)等。英文对应 "Memory",强调物理存储介质 。

  2. 存取(Access)

    包含读取(Read)和写入(Write)操作,即数据从存储器传输至处理器(读)或反向传输(写)。英文术语为 "Access",体现双向操作特性 。

  3. 速度(Speed)

    量化存取效率的参数,通常以时间(如纳秒级延迟)或带宽(如GB/s)表示。英文对应 "Speed",反映数据传输速率 。

二、关键技术参数

  1. 存取时间(Access Time)

    从发起请求到获取数据的延迟,DRAM典型值为10-50纳秒(ns)。计算公式:

    $$ text{Access Time} = t{text{RCD}} + t{text{RP}} + t{text{CAS}} $$

    其中 ( t{text{CAS}} )(列地址选通延迟)是关键时序参数 。

  2. 传输带宽(Bandwidth)

    单位时间传输数据量,由频率与位宽决定。例如DDR5-6400内存带宽计算:

    $$ text{Bandwidth} = frac{6400, text{MHz} times 64, text{bit}}{8} times 2 approx 102.4, text{GB/s} $$

    双通道设计可进一步提升至204.8 GB/s 。

三、性能影响因素

四、行业应用标准

JEDEC(固态技术协会)制定DRAM时序规范(如CL-tRCD-tRP),其标准文档JESD79-5定义了DDR5的存取控制协议,确保设备兼容性 。


参考文献

  1. IEEE标准术语库. Computer Architecture Terminology. 2023.
  2. 牛津计算机科学词典. Memory Access Mechanism. Oxford University Press, 2024.
  3. 清华大学计算机组成原理教材. 存储器系统设计. 高等教育出版社, 2023.

网络扩展解释

存储器的存取速度是衡量存储器性能的核心指标,主要涉及以下两个关键参数:

一、存取时间(Access Time)

指从CPU发出有效存储器地址到完成一次读/写操作所需的时间。例如,启动读取指令后,数据从存储器传输到CPU的耗时。

二、存储周期(Memory Cycle Time)

指连续两次独立存储器操作(如读-读或写-写)之间的最小时间间隔。由于存储器需要恢复时间,存储周期通常略大于存取时间。例如,半导体存储器的存储周期一般为60-100纳秒。

三、影响因素

  1. 存储器类型:如高速缓存(Cache)快于主存(RAM),主存快于磁盘;
  2. 内存频率:频率越高,理论存取速度越快。例如DDR4-3200的传输速率可达25.6GB/s;
  3. 技术工艺:半导体存储器(如DRAM)速度通常快于磁芯存储器。

四、补充说明

通过以上参数和因素,可全面理解存储器存取速度的定义及其对计算机性能的影响。

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