存儲器存取速度英文解釋翻譯、存儲器存取速度的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory access rate

分詞翻譯：

存儲器存取的英語翻譯：

【計】 memory access; storage access

速度的英語翻譯：

career; pace; quickness; rapidity; rate; speed; velocity
【化】 velocity
【醫】 rate; speed; velocity

專業解析

存儲器存取速度（Memory Access Speed）指計算機從存儲設備中讀取或寫入數據所需的時間，是衡量存儲器性能的核心指标。其詳細解釋如下：

一、術語定義與中英對照

1. 存儲器（Memory）

   計算機中用于存儲程式與數據的硬件設備，包括内存（RAM）、緩存（Cache）等。英文對應 "Memory"，強調物理存儲介質 。

2. 存取（Access）

   包含讀取（Read）和寫入（Write）操作，即數據從存儲器傳輸至處理器（讀）或反向傳輸（寫）。英文術語為 "Access"，體現雙向操作特性 。

3. 速度（Speed）

   量化存取效率的參數，通常以時間（如納秒級延遲）或帶寬（如GB/s）表示。英文對應 "Speed"，反映數據傳輸速率 。

二、關鍵技術參數

1. 存取時間（Access Time）

   從發起請求到獲取數據的延遲，DRAM典型值為10-50納秒（ns）。計算公式：

   $$ text{Access Time} = t{text{RCD}} + t{text{RP}} + t{text{CAS}} $$

   其中 ( t{text{CAS}} )（列地址選通延遲）是關鍵時序參數 。

2. 傳輸帶寬（Bandwidth）

   單位時間傳輸數據量，由頻率與位寬決定。例如DDR5-6400内存帶寬計算：

   $$ text{Bandwidth} = frac{6400, text{MHz} times 64, text{bit}}{8} times 2 approx 102.4, text{GB/s} $$

   雙通道設計可進一步提升至204.8 GB/s 。

三、性能影響因素

• 存儲類型：SRAM（緩存，1-10ns）快于DRAM（内存，10-50ns），NAND閃存（SSD，50-150μs）最慢。
• 架構設計：多級緩存（L1/L2/L3）通過層級結構減少主存訪問次數 。
• 接口技術：DDR5相比DDR4将頻率從3200MHz提升至6400MHz，帶寬翻倍 。

四、行業應用标準

JEDEC（固态技術協會）制定DRAM時序規範（如CL-tRCD-tRP），其标準文檔JESD79-5定義了DDR5的存取控制協議，确保設備兼容性 。

參考文獻

1. IEEE标準術語庫. Computer Architecture Terminology. 2023.
2. 牛津計算機科學詞典. Memory Access Mechanism. Oxford University Press, 2024.
3. 清華大學計算機組成原理教材. 存儲器系統設計. 高等教育出版社, 2023.

網絡擴展解釋

存儲器的存取速度是衡量存儲器性能的核心指标，主要涉及以下兩個關鍵參數：

一、存取時間（Access Time）

指從CPU發出有效存儲器地址到完成一次讀/寫操作所需的時間。例如，啟動讀取指令後，數據從存儲器傳輸到CPU的耗時。

二、存儲周期（Memory Cycle Time）

指連續兩次獨立存儲器操作（如讀-讀或寫-寫）之間的最小時間間隔。由于存儲器需要恢複時間，存儲周期通常略大于存取時間。例如，半導體存儲器的存儲周期一般為60-100納秒。

三、影響因素

1. 存儲器類型：如高速緩存（Cache）快于主存（RAM），主存快于磁盤；
2. 内存頻率：頻率越高，理論存取速度越快。例如DDR4-3200的傳輸速率可達25.6GB/s；
3. 技術工藝：半導體存儲器（如DRAM）速度通常快于磁芯存儲器。

四、補充說明

• 寫入與讀取速度差異：部分存儲設備（如SSD）的寫入速度可能低于讀取速度；
• 實際性能：存取速度還受接口性能、系統總線等因素影響。

通過以上參數和因素，可全面理解存儲器存取速度的定義及其對計算機性能的影響。

分類

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