二次栅极发射英文解释翻译、二次栅极发射的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 secondary grid emission

分词翻译：

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

次的英语翻译：

order; second; second-rate
【医】 deutero-; deuto-; hyp-; hypo-; meta-; sub-

栅极的英语翻译：

grid
【化】 grid

发射的英语翻译：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

专业解析

二次栅极发射（Secondary Grid Emission）是电子管工作中的一种物理现象，指当高能电子（一次电子）撞击电子管内的栅极表面时，栅极材料吸收能量后激发出新的电子（二次电子）的过程。该现象主要发生在真空电子器件中，对器件效率和稳定性有重要影响。

一、核心机制

能量转换
一次电子（通常来自阴极）以足够动能（>10-50 eV）撞击栅极金属表面时，将能量传递给栅极材料内的束缚电子。当传递能量超过材料逸出功时，电子脱离原子束缚形成二次发射。

研究表明，二次电子产额（δ）取决于一次电子能量与材料特性，通常在能量为200-1000 eV时达到峰值。
栅极结构影响
栅极的几何形状（如网状或螺旋结构）和表面处理（如氧化涂层）会显著改变电场分布，进而影响二次电子轨迹。粗糙表面或微孔结构可能增强局部场强，导致二次发射率上升。

二、对电子管性能的影响

正向效应
在微波管（如速调管、磁控管）中，可控的二次发射可提升电流密度。例如，多级降压收集极（MDC）设计利用二次电子回收能量，将效率提高至70%以上。
负面干扰
在传统三极管/四极管中，二次电子可能形成反向电流：
- 当屏极电压低于栅极电压时，二次电子被屏极吸引，导致栅极电流异常增大
- 引发"负阻效应"，造成输出信号失真或振荡

三、工程控制方法

材料优化
采用低二次发射系数的材料（如石墨或金镀层），或通过表面刻蚀降低产额。实验显示，碳化钍钨栅极的δ值可比纯镍低40%。
电极设计
在束射四极管中增加"抑制栅"（Suppressor Grid），通过负压排斥二次电子，典型结构见通用电气专利US 2021000A。

四、典型应用场景

光电倍增管
通过多级二次发射放大微弱光电流，单级增益可达4-6倍。
行波管(TWT)
螺旋线收集极利用二次发射实现能量回收，NASA在深空通信系统中已应用该技术。

权威参考文献

IEEE Transactions on Electron Devices "Secondary Emission in Microwave Tubes" (实测数据与模型)
Physical Review期刊经典论文"Secondary Electron Emission" (材料能阈分析)
《电子管与微波器件基础》（国防工业出版社）第3章栅极效应

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网络扩展解释

“二次栅极发射”对应的英文为secondary grid emission，属于电子学领域的专业术语。其核心含义可拆解为：

现象描述
指在电子器件（如真空管、电子管等）中，栅极（控制电子流的关键电极）受到高能电子轰击时，材料表面释放出次级电子的物理过程。这种现象属于二次电子发射的一种。
产生条件
当栅极被加速的初级电子（如来自阴极的电子）撞击时，若电子能量足够高，会导致栅极材料中的电子被激发并逸出表面，形成二次电子流。
影响与应用
- 负面影响：可能引起器件噪声、信号失真或效率下降，需在设计中抑制。
- 正向利用：某些特殊器件（如光电倍增管）会利用二次发射效应放大电流信号。

由于该术语专业性较强，建议参考电子工程或真空电子学领域的权威资料获取更详细的技术参数与实验数据。