
【電】 secondary grid emission
twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-
order; second; second-rate
【醫】 deutero-; deuto-; hyp-; hypo-; meta-; sub-
grid
【化】 grid
launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【醫】 emission
二次栅極發射(Secondary Grid Emission)是電子管工作中的一種物理現象,指當高能電子(一次電子)撞擊電子管内的栅極表面時,栅極材料吸收能量後激發出新的電子(二次電子)的過程。該現象主要發生在真空電子器件中,對器件效率和穩定性有重要影響。
能量轉換
一次電子(通常來自陰極)以足夠動能(>10-50 eV)撞擊栅極金屬表面時,将能量傳遞給栅極材料内的束縛電子。當傳遞能量超過材料逸出功時,電子脫離原子束縛形成二次發射。
研究表明,二次電子産額(δ)取決于一次電子能量與材料特性,通常在能量為200-1000 eV時達到峰值。
栅極結構影響
栅極的幾何形狀(如網狀或螺旋結構)和表面處理(如氧化塗層)會顯著改變電場分布,進而影響二次電子軌迹。粗糙表面或微孔結構可能增強局部場強,導緻二次發射率上升。
正向效應
在微波管(如速調管、磁控管)中,可控的二次發射可提升電流密度。例如,多級降壓收集極(MDC)設計利用二次電子回收能量,将效率提高至70%以上。
負面幹擾
在傳統三極管/四極管中,二次電子可能形成反向電流:
材料優化
采用低二次發射系數的材料(如石墨或金鍍層),或通過表面刻蝕降低産額。實驗顯示,碳化钍鎢栅極的δ值可比純鎳低40%。
電極設計
在束射四極管中增加"抑制栅"(Suppressor Grid),通過負壓排斥二次電子,典型結構見通用電氣專利US 2021000A。
光電倍增管
通過多級二次發射放大微弱光電流,單級增益可達4-6倍。
行波管(TWT)
螺旋線收集極利用二次發射實現能量回收,NASA在深空通信系統中已應用該技術。
權威參考文獻
注:部分鍊接需機構訪問權限,建議通過學術數據庫獲取全文。
“二次栅極發射”對應的英文為secondary grid emission,屬于電子學領域的專業術語。其核心含義可拆解為:
現象描述
指在電子器件(如真空管、電子管等)中,栅極(控制電子流的關鍵電極)受到高能電子轟擊時,材料表面釋放出次級電子的物理過程。這種現象屬于二次電子發射的一種。
産生條件
當栅極被加速的初級電子(如來自陰極的電子)撞擊時,若電子能量足夠高,會導緻栅極材料中的電子被激發并逸出表面,形成二次電子流。
影響與應用
由于該術語專業性較強,建議參考電子工程或真空電子學領域的權威資料獲取更詳細的技術參數與實驗數據。
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