
【电】 Neel wall
【电】 Neper
ear; erbium
【医】 aures; auri-; auris; ear; ot-; oto-
wall
【医】 paries; parietes; wall
奈耳壁(Néel Wall)是磁性材料中畴壁结构的一种特殊类型,由法国物理学家路易·奈尔(Louis Néel)于20世纪中期提出。在磁畴理论中,奈耳壁指磁矩在薄膜材料平面内发生旋转的畴壁结构,与布洛赫壁(Bloch wall)的垂直旋转方式形成对比。该结构常见于纳米级磁性薄膜或超薄材料中,其能量状态与材料厚度密切相关:当材料厚度小于临界值时,奈耳壁因退磁场能较低而更稳定。
从应用角度看,奈耳壁的研究对磁存储技术和自旋电子学器件开发具有重要意义。例如在磁随机存储器(MRAM)中,畴壁运动控制直接影响数据写入速度和能耗效率。现代透射电子显微镜(TEM)和洛伦兹显微术已能实现纳米级畴壁结构的直接观测,为相关研究提供实验验证手段。
权威参考文献:
“奈耳壁”(Néel Wall)是磁学中描述磁畴结构的一个术语,指磁性材料内部相邻磁畴之间的过渡区域。其名称源于法国物理学家路易·奈耳(Louis Néel),他在磁性材料研究领域有重要贡献(因此获得1970年诺贝尔物理学奖)。
磁畴与畴壁
磁性材料由许多称为“磁畴”的小区域组成,每个磁畴内的原子磁矩(磁性方向)排列一致。畴壁是分隔不同磁畴的边界层,此处磁矩方向逐渐转变。
奈耳壁的特点
与另一种常见畴壁“布洛赫壁”(Bloch Wall)不同,奈耳壁中磁矩的旋转方向平行于材料表面,导致表面出现磁极并伴随退磁场。这种结构通常出现在薄膜材料或超薄磁性层中,因为材料厚度限制了磁矩旋转的空间。
能量与稳定性
奈耳壁的能量通常高于布洛赫壁,因为其表面磁极会引入退磁场能。但当材料厚度极小时(如纳米尺度),奈耳壁可能因几何限制而更稳定。
应用领域
奈耳壁的研究对自旋电子学器件(如磁存储器、赛道存储器)设计至关重要。通过调控畴壁类型和运动,可实现更高效的信息存储与传输。
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