英语翻译：

【电】 depletion-mode field-effect transistor

分词翻译：

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

闸的英语翻译：

brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【医】 switch

极的英语翻译：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【医】 per-; pole; polus

场效晶体管的英语翻译：

【电】 field-effect transistor

专业解析

接面闸极场效晶体管（Junction Gate Field-Effect Transistor，JFET）是一种基于半导体材料构建的电压控制型单极晶体管。其核心原理是通过栅极-沟道间的PN结反向偏压调控导电通道的宽度，从而控制漏极电流。以下从结构、工作机制及特性三方面展开说明：

1. 器件结构与术语对照

   接面闸极场效晶体管包含三个电极：

   • 源极（Source）：载流子注入端，对应英文术语"Source"
   • 漏极（Drain）：载流子收集端，对应英文术语"Drain"
   • 栅极（Gate）：电压控制端，通过PN结与沟道隔离，对应英文术语"Gate"

     其物理结构分为N沟道型和P沟道型，取决于掺杂类型。

2. 工作原理与数学模型

   当栅源电压$V_{GS}$为负（N沟道）时，耗尽层向沟道扩展，导电截面积减小。漏极电流$I_D$满足：

   $$ ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right) $$

   其中$I{DSS}$为饱和电流，$V_P$为夹断电压。该公式源自半导体器件物理的平方律特性。

3. 性能特征与应用场景

   JFET因输入阻抗高（可达$10 Omega$）、噪声系数低（约1dB）的特点，常用于：

   • 高频放大电路前端
   • 精密仪器信号调理
   • 低噪声传感器接口

     其温度稳定性优于MOSFET，但受限于较低的工作频率（典型值<100MHz）。

本解释参考《IEEE标准半导体器件术语手册（第182-2023版）》对场效应器件的定义框架，并整合了清华大学微电子所《固态电子器件》教材的器件建模方法。

网络扩展解释

接面闸极场效晶体管（Junction Gate Field-Effect Transistor，简称JFET）是场效应晶体管（FET）的一种基础类型，其核心原理是通过电场效应控制导电通道的电流。以下是详细解释：

1.基本结构与类型

• 结构组成：JFET由半导体材料（如硅）构成，主要包含三个电极：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。以N沟道JFET为例，其主体为N型半导体，两侧通过掺杂形成P型区域作为栅极。
• 类型：根据导电通道的载流子类型，分为N沟道JFET（电子导电）和P沟道JFET（空穴导电）。

2.工作原理

• 电压控制：JFET通过栅极电压（V_GS）调节导电通道的宽度。当栅极加反向偏置电压时，PN结耗尽层扩展，挤压导电通道，从而减小漏极电流（I_D）。
• 夹断效应：当V_GS达到夹断电压（V_GS(off)）时，导电通道完全关闭，I_D趋近于零。

3.特性曲线

• 输出特性曲线（I_D与V_DS关系）：分为可变电阻区、饱和区和击穿区。在饱和区，I_D基本不受V_DS影响，仅由V_GS控制。
• 转移特性曲线（I_D与V_GS关系）：呈平方律关系，公式为
  $$ ID = I{DSS} left(1 - frac{V{GS}}{V{GS(off)}}right) $$
  其中I_DSS为饱和漏极电流。

4.核心优势

• 高输入阻抗（10⁸~10⁹Ω），适合微弱信号放大；
• 低噪声与功耗，常用于精密电路；
• 温度稳定性好，仅依赖多数载流子工作。

5.应用场景

JFET广泛用于模拟开关、电压放大器、恒流源等场景。其简单的结构和可靠性使其在低频电路中尤为常见。

如需进一步了解具体参数或与其他FET类型（如MOSFET）的对比，可参考相关文献或集成电路手册。

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