霍尔角英文解释翻译、霍尔角的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hall angle

分词翻译：

霍尔的英语翻译：

【计】 Hoare

角的英语翻译：

corner; angle; cape; contend; horn; wrestle; role
【医】 angle; anguli; angulus; Broca's angle; cornu; cornua; gonio-; horn

专业解析

霍尔角（Hall Angle），又称霍尔偏转角，是凝聚态物理和电磁学中描述载流子在电场和磁场共同作用下运动方向发生偏转的关键参数。其定义为载流子漂移速度方向与外电场方向之间的夹角，通常用符号 (theta_H) 表示。

1. 基本定义与物理意义霍尔角的正切值（(tan theta_H)）等于载流子所受磁场引起的洛伦兹力与电场力之比。其核心公式为： $$ tan theta_H = mu B $$ 其中：

(mu) 为载流子的迁移率（单位：m²/(V·s)），
(B) 为垂直于电流方向的磁感应强度（单位：特斯拉，T）。该公式表明，霍尔角的大小直接取决于材料的载流子迁移率和外加磁场的强度。迁移率越高或磁场越强，载流子偏转角度越大。

2. 与霍尔效应的关系霍尔角是霍尔效应的直接体现。当电流（(I)）沿导体通过，同时存在垂直磁场（(B)）时，载流子（电子或空穴）受洛伦兹力作用发生偏转，导致导体侧面积累电荷，形成霍尔电场（(E_H)）。霍尔角即由该电场与原电场合成后的载流子净速度方向所决定。霍尔电压（(V_H)）与霍尔角的关系可表示为： $$ V_H = frac{IB}{n e d} tan theta_H $$ 其中 (n) 为载流子浓度，(e) 为元电荷，(d) 为样品厚度。

3. 应用场景

材料表征：通过测量霍尔角可推算载流子迁移率 ((mu = tan theta_H / B))，是分析半导体、金属电输运性质的重要方法。
磁传感器设计：霍尔角的大小直接关联磁场灵敏度，用于优化霍尔元件性能。
等离子体物理：在磁约束聚变中，霍尔角影响等离子体中带电粒子的输运动力学。

权威参考来源：

《固体物理学》（黄昆原著）：系统阐述霍尔效应及载流子在电磁场中的运动理论。
Kittel, C. Introduction to Solid State Physics (8th ed.)：经典教材，详细推导霍尔系数与霍尔角的关系（Chapter 8: Semiconductor Crystals）。
Hall Effect Measurements (NIST)：美国国家标准与技术研究院对霍尔效应测量标准的技术说明（可公开获取）。
Original Hall Effect Paper (1879)：Edwin H. Hall 在 American Journal of Mathematics 发表的原始论文 "On a New Action of the Magnet on Electric Currents" 奠定了理论基础。

网络扩展解释

霍尔角（Hall Angle）是霍尔效应中的关键参数，具有物理学基础定义和工程应用中的延伸含义。以下是综合解释：

一、物理学定义

霍尔角指在霍尔效应中，载流子运动方向因磁场作用产生的偏转角度。当导体/半导体中通电流（$I$）并施加垂直磁场（$B$）时，载流子受洛伦兹力偏转，导致横向霍尔电场（$E_H$）形成。此时，载流子速度方向与原始电流方向的夹角即为霍尔角（$theta_H$），满足公式： $$ tantheta_H = frac{mu B}{1 + (mu B)} $$ 其中$mu$为载流子迁移率。

二、工程应用中的霍尔角

在传感器领域，霍尔角指磁场方向与传感器探头的相对角度，例如：

角度测量：通过检测磁场方向变化，霍尔传感器可输出0°~360°的绝对角度值，精度可达±0.1°。
工作原理：传感器内置铟化合物半导体（如锑化铟），磁场线以直角穿过探头时，输出电压与磁通密度成比例。

三、核心应用领域

工业自动化：替代传统电位器，用于伺服电机角度反馈。
汽车电子：方向盘转角检测、油门位置传感。
航空航天：飞行控制系统中的高可靠性角度测量。

四、特性优势

特性	优势描述
无接触测量	无机械磨损，寿命长
环境适应性	耐受油污、高低温、振动
高频响应	适用于高速旋转场景

注：不同文献可能对霍尔角的具体表述存在差异，需结合上下文区分物理参数与工程测量值。