
【计】 recovery diode; restorer diode
恢复二极管(Recovery Diode),在电子工程领域通常被称为快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD),是一种具有极短反向恢复时间(Reverse Recovery Time, trr)的特殊半导体二极管。其主要功能在于实现电流的快速关断,特别适用于高频开关电路。
反向恢复时间(trr)
指二极管从正向导通状态切换到反向阻断状态时,耗尽存储电荷所需的时间。快恢复二极管的 trr 通常在几十纳秒(ns)至几百纳秒,远低于普通整流二极管(微秒级)。这一特性显著降低了开关损耗,提升高频电路效率。
结构设计
通过优化 PN 结制造工艺(如掺金、铂或电子辐照),控制载流子寿命,加速电荷消散速度。部分型号采用肖特基结构(如碳化硅基 FRD),进一步降低 trr 和正向压降。
关键参数
“快恢复二极管指反向恢复时间显著短于常规整流二极管的器件,其设计目标是在高频开关应用中最小化开关损耗。”(来源:IEEE Std 100《电子与电气术语标准词典》)
Baliga, B. J. (2015). Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Springer.
(第7章详述快恢复二极管物理机制)
Rashid, M. H. (2014). Power Electronics Handbook. Butterworth-Heinemann.
(第4章分析 FRD 在转换器中的选型原则)
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Power Electronics Report.
(定义高频 FRD 的性能演进指标)
注:为符合 原则,内容综合电力电子经典教材与行业标准术语,避免引用不可靠网络资源。实际应用需参考器件厂商规格书(如 Infineon、STMicroelectronics 的 FRD 参数手册)。
恢复二极管(Recovery Diode)通常指快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD),是一种具有快速反向恢复特性的半导体器件。以下从多个角度综合解释其含义:
快恢复二极管的核心特点是反向恢复时间(trr)极短,通常在几百纳秒以内,超快恢复二极管可达几十纳秒。其内部结构采用PIN硅片设计,即在P型和N型半导体之间增加一层薄的本征区(I区),通过减少存储电荷量来实现快速关断。
普通二极管反向恢复时间较长(>500ns),而快恢复二极管通过优化结构和掺杂工艺(如掺金技术)显著缩短trr,降低开关损耗。
扩展说明:
超快恢复二极管(Ultra-Fast Recovery Diode)是快恢复二极管的升级版,trr更低(<100ns),适用于更高频电路。此外,阶跃恢复二极管(SRD)通过特殊杂质分布实现极速关断,主要用于微波倍频,但属于另一细分类型。
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