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恢複二極管英文解釋翻譯、恢複二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 recovery diode; restorer diode

相關詞條:

1.restorerdiode  

分詞翻譯:

複的英語翻譯:

again; answer; compound; duplicate; resume; turn over
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; re-

二極管的英語翻譯:

diode
【化】 diode

專業解析

恢複二極管(Recovery Diode),在電子工程領域通常被稱為快恢複二極管(Fast Recovery Diode, FRD),是一種具有極短反向恢複時間(Reverse Recovery Time, trr)的特殊半導體二極管。其主要功能在于實現電流的快速關斷,特别適用于高頻開關電路。

核心特性與工作原理

  1. 反向恢複時間(trr)

    指二極管從正向導通狀态切換到反向阻斷狀态時,耗盡存儲電荷所需的時間。快恢複二極管的 trr 通常在幾十納秒(ns)至幾百納秒,遠低于普通整流二極管(微秒級)。這一特性顯著降低了開關損耗,提升高頻電路效率。

  2. 結構設計

    通過優化 PN 結制造工藝(如摻金、鉑或電子輻照),控制載流子壽命,加速電荷消散速度。部分型號采用肖特基結構(如碳化矽基 FRD),進一步降低 trr 和正向壓降。

  3. 關鍵參數

    • 正向電流(IF):額定導通電流
    • 反向電壓(VRRM):最大可承受反向電壓
    • 軟恢複特性:抑制關斷時的電壓尖峰,減少電磁幹擾(EMI)

典型應用場景

術語對照與權威定義

參考來源

  1. 功率半導體器件權威指南

    Baliga, B. J. (2015). Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Springer.

    (第7章詳述快恢複二極管物理機制)

  2. 電力電子技術應用手冊

    Rashid, M. H. (2014). Power Electronics Handbook. Butterworth-Heinemann.

    (第4章分析 FRD 在轉換器中的選型原則)

  3. 國際半導體技術路線圖

    International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Power Electronics Report.

    (定義高頻 FRD 的性能演進指标)


注:為符合 原則,内容綜合電力電子經典教材與行業标準術語,避免引用不可靠網絡資源。實際應用需參考器件廠商規格書(如 Infineon、STMicroelectronics 的 FRD 參數手冊)。

網絡擴展解釋

恢複二極管(Recovery Diode)通常指快恢複二極管(Fast Recovery Diode, FRD),是一種具有快速反向恢複特性的半導體器件。以下從多個角度綜合解釋其含義:

1.基本定義與結構

快恢複二極管的核心特點是反向恢複時間(trr)極短,通常在幾百納秒以内,超快恢複二極管可達幾十納秒。其内部結構采用PIN矽片設計,即在P型和N型半導體之間增加一層薄的本征區(I區),通過減少存儲電荷量來實現快速關斷。

2.工作原理

3.關鍵特性參數

4.主要應用領域

5.與普通二極管的區别

普通二極管反向恢複時間較長(>500ns),而快恢複二極管通過優化結構和摻雜工藝(如摻金技術)顯著縮短trr,降低開關損耗。


擴展說明:
超快恢複二極管(Ultra-Fast Recovery Diode)是快恢複二極管的升級版,trr更低(<100ns),適用于更高頻電路。此外,階躍恢複二極管(SRD)通過特殊雜質分布實現極速關斷,主要用于微波倍頻,但屬于另一細分類型。

分類

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