
【計】 recovery diode; restorer diode
恢複二極管(Recovery Diode),在電子工程領域通常被稱為快恢複二極管(Fast Recovery Diode, FRD),是一種具有極短反向恢複時間(Reverse Recovery Time, trr)的特殊半導體二極管。其主要功能在于實現電流的快速關斷,特别適用于高頻開關電路。
反向恢複時間(trr)
指二極管從正向導通狀态切換到反向阻斷狀态時,耗盡存儲電荷所需的時間。快恢複二極管的 trr 通常在幾十納秒(ns)至幾百納秒,遠低于普通整流二極管(微秒級)。這一特性顯著降低了開關損耗,提升高頻電路效率。
結構設計
通過優化 PN 結制造工藝(如摻金、鉑或電子輻照),控制載流子壽命,加速電荷消散速度。部分型號采用肖特基結構(如碳化矽基 FRD),進一步降低 trr 和正向壓降。
關鍵參數
“快恢複二極管指反向恢複時間顯著短于常規整流二極管的器件,其設計目标是在高頻開關應用中最小化開關損耗。”(來源:IEEE Std 100《電子與電氣術語标準詞典》)
Baliga, B. J. (2015). Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Springer.
(第7章詳述快恢複二極管物理機制)
Rashid, M. H. (2014). Power Electronics Handbook. Butterworth-Heinemann.
(第4章分析 FRD 在轉換器中的選型原則)
International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Power Electronics Report.
(定義高頻 FRD 的性能演進指标)
注:為符合 原則,内容綜合電力電子經典教材與行業标準術語,避免引用不可靠網絡資源。實際應用需參考器件廠商規格書(如 Infineon、STMicroelectronics 的 FRD 參數手冊)。
恢複二極管(Recovery Diode)通常指快恢複二極管(Fast Recovery Diode, FRD),是一種具有快速反向恢複特性的半導體器件。以下從多個角度綜合解釋其含義:
快恢複二極管的核心特點是反向恢複時間(trr)極短,通常在幾百納秒以内,超快恢複二極管可達幾十納秒。其内部結構采用PIN矽片設計,即在P型和N型半導體之間增加一層薄的本征區(I區),通過減少存儲電荷量來實現快速關斷。
普通二極管反向恢複時間較長(>500ns),而快恢複二極管通過優化結構和摻雜工藝(如摻金技術)顯著縮短trr,降低開關損耗。
擴展說明:
超快恢複二極管(Ultra-Fast Recovery Diode)是快恢複二極管的升級版,trr更低(<100ns),適用于更高頻電路。此外,階躍恢複二極管(SRD)通過特殊雜質分布實現極速關斷,主要用于微波倍頻,但屬于另一細分類型。
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