
【电】 excess electron
congestion; excess; overmuch; overplus; overstock; plethora; superabound
surplus
【经】 overflow
electron
【化】 electron
【医】 e.; electron
在电子工程与半导体物理领域,"过剩电子"(Excess Electrons)指半导体材料中超出热平衡状态浓度的自由电子。以下是基于权威文献的详细解释:
过剩电子指在非平衡状态下(如外加电场或光照),半导体导带中浓度高于热平衡值的自由电子。这些电子是电流的主要载流子之一,尤其在N型半导体中占主导地位《电子工程名词》(全国科学技术名词审定委员会, 2012)。
"Excess electrons" refer to free electrons in the conduction band that exceed the equilibrium concentration due to external excitation (e.g., optical or electrical injection). They dominate conductivity in N-type semiconductors (IEEE Standard Terms for Semiconductor Devices, IEEE Xplore) 。
产生条件:
当半导体受光照射、电场激发或掺杂施主杂质(如磷、砷)时,价带电子跃迁至导带,形成过剩电子。
公式表达:
$$ Delta n = n - n_0 $$
其中 ( n_0 ) 为热平衡电子浓度,( Delta n ) 为过剩电子浓度(Oxford Dictionary of Electronics, 2020)。
复合动力学:
过剩电子与空穴通过直接复合(辐射发光)或陷阱辅助复合(产生热量)逐渐消失,其寿命(τ)是器件响应速度的关键参数(Springer Handbook of Semiconductor Devices, 2016)。
全国科学技术名词审定委员会. 《电子工程名词》. 科学出版社, 2012.
IEEE Standard 599: "Terms for Semiconductor Devices". IEEE Xplore
Amos, S. W. Oxford Dictionary of Electronics. Oxford University Press, 2020.
Rudan, M. Springer Handbook of Semiconductor Devices. Springer, 2016.
Green, M. A. "Solar Cells: Operating Principles". Solar Energy Materials & Cells, vol. 92, 2008. ScienceDirect
Hu, C. "Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits". IEEE Electron Device Letters, vol. 41, 2020. IEEE Xplore
过剩电子(Excess Electron)是半导体物理学中的专业术语,指在特定条件下超出材料热平衡状态的自由电子数量。以下为详细解释:
过剩电子指在半导体导带中,由于外界激发(如光照、电场等)产生的电子数量超过材料原本在热平衡状态下的浓度。这类电子与空穴共同构成“过剩载流子”,是半导体器件导电特性的重要研究对象。
在电学领域,过剩电子的英文为“excess electron”。
常见于太阳能电池、光电探测器等依赖光生载流子的器件中。研究过剩电子的行为有助于优化半导体材料的响应速度和效率。
如需进一步了解其数学描述或具体器件应用,可参考半导体物理教材或相关文献。
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