可擦存储器英文解释翻译、可擦存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 erasable memory; erasable storage; erasable store

approve; but; can; may; need; yet

mop; brush; rub; scour; scrape; scratch; wipe

storage; store
【计】 M; memorizer; S

可擦存储器（Erasable Programmable Memory）是一类可通过特定物理或电学方式反复擦除并重新编程的半导体存储设备。根据国际电气与电子工程师协会（IEEE）的定义，其核心特征为"非易失性存储"与"可重复编程能力" 。主要类型包括：

EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）
采用浮栅晶体管结构，需紫外线照射15-20分钟实现整体擦除。典型应用为早期嵌入式系统固件存储，如英特尔1971年推出的1702芯片。
EEPROM（Electrically Erasable PROM）
通过Fowler-Nordheim隧穿效应实现字节级电擦除，擦写电压通常为12-21V。现代版本如24C02C可在1ms内完成单字节写入，广泛应用于物联网设备参数存储。
Flash Memory
采用块擦除架构，NOR型支持随机存取（代码执行），NAND型侧重高密度存储。三星2023年量产的236层V-NAND单元尺寸已缩小至14nm，擦写寿命达10万次。

美国国家标准技术研究院（NIST）特别指出，此类存储器的数据保留特性符合JEDEC JESD22-A117标准，在85℃环境下可保持数据10年以上。

可擦存储器是一种允许用户多次擦除和重新编程数据的非易失性存储设备，常见类型包括EPROM和EEPROM。以下是详细解析：

1. 基本定义与分类可擦存储器主要指两类：EPROM（紫外线可擦除）和EEPROM（电可擦除）。EPROM需紫外线照射擦除全部数据，而EEPROM可通过电信号擦除部分或全部数据。

2. 技术原理

3. 核心特点

4. 典型应用场景

5. 技术演进从EPROM到EEPROM的发展，体现了从物理擦除到电子擦除的技术跨越。现代衍生品如闪存（Flash Memory）基于EEPROM技术，具备更快的擦写速度。