可擦存儲器英文解釋翻譯、可擦存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 erasable memory; erasable storage; erasable store

approve; but; can; may; need; yet

mop; brush; rub; scour; scrape; scratch; wipe

storage; store
【計】 M; memorizer; S

可擦存儲器（Erasable Programmable Memory）是一類可通過特定物理或電學方式反複擦除并重新編程的半導體存儲設備。根據國際電氣與電子工程師協會（IEEE）的定義，其核心特征為"非易失性存儲"與"可重複編程能力" 。主要類型包括：

EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）
采用浮栅晶體管結構，需紫外線照射15-20分鐘實現整體擦除。典型應用為早期嵌入式系統固件存儲，如英特爾1971年推出的1702芯片。
EEPROM（Electrically Erasable PROM）
通過Fowler-Nordheim隧穿效應實現字節級電擦除，擦寫電壓通常為12-21V。現代版本如24C02C可在1ms内完成單字節寫入，廣泛應用于物聯網設備參數存儲。
Flash Memory
采用塊擦除架構，NOR型支持隨機存取（代碼執行），NAND型側重高密度存儲。三星2023年量産的236層V-NAND單元尺寸已縮小至14nm，擦寫壽命達10萬次。

美國國家标準技術研究院（NIST）特别指出，此類存儲器的數據保留特性符合JEDEC JESD22-A117标準，在85℃環境下可保持數據10年以上。

可擦存儲器是一種允許用戶多次擦除和重新編程數據的非易失性存儲設備，常見類型包括EPROM和EEPROM。以下是詳細解析：

1. 基本定義與分類可擦存儲器主要指兩類：EPROM（紫外線可擦除）和EEPROM（電可擦除）。EPROM需紫外線照射擦除全部數據，而EEPROM可通過電信號擦除部分或全部數據。

2. 技術原理

3. 核心特點

4. 典型應用場景

5. 技術演進從EPROM到EEPROM的發展，體現了從物理擦除到電子擦除的技術跨越。現代衍生品如閃存（Flash Memory）基于EEPROM技術，具備更快的擦寫速度。