英语翻译：

【化】 anticorrosive additive; resist

分词翻译：

抗的英语翻译：

contend with; defy; fight; refuse; repel; resist
【医】 Adv.; contra-; ob-

蚀的英语翻译：

corrode; erode; lose

剂的英语翻译：

【医】 agent

专业解析

抗蚀剂（photoresist）是半导体制造和微电子加工领域的关键材料，中文又称光刻胶，英文对应术语包含"photoresist"或"resist"。其核心功能是通过光化学反应形成微细图形，作为临时性保护层阻挡后续蚀刻或离子注入工序。

从组成结构分析，抗蚀剂主要由三部分构成：

1. 树脂基质：提供机械支撑与化学稳定性，常用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等聚合物
2. 感光剂：引发光化学反应的活性成分，如重氮萘醌类化合物
3. 溶剂体系：调节黏度实现均匀涂布，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）

根据光化学反应特性可分为：

• 正性抗蚀剂：曝光区域溶解性增强，显影后形成与掩模版相同图案
• 负性抗蚀剂：曝光区域交联固化，显影后保留未曝光部分

在集成电路制造中，抗蚀剂的应用涉及完整工艺流程：

1. 旋转涂布（Spin Coating）形成均匀薄膜
2. 软烘烤（Soft Bake）去除溶剂
3. 紫外曝光（UV Lithography）完成图形转移
4. 显影（Development）溶解可溶区域
5. 硬烘烤（Hard Bake）增强结构稳定性

参考文献：

1. 《半导体制造技术基础》第3章微影制程（高等教育出版社）
2. 国际纯粹与应用化学联合会光化学术语标准（IUPAC Technical Report）

网络扩展解释

抗蚀剂（又称光刻胶、光阻剂）是一种对光或电子能量敏感的高分子聚合物材料，主要用于微电子制造等领域。以下是详细解释：

1.基本定义

抗蚀剂是一类通过光照或电子束照射后发生化学性质变化（如溶解度改变）的材料，能将掩模版上的图形转移到基片表面。它在半导体、平板显示、太阳能光伏等产业中起关键作用。

2.分类与特性

• 正性抗蚀剂：

  • 反应机制：光照部分发生降解，显影时被溶解，图形与掩模版一致。
  • 优点：分辨率高、曝光容限大、适合高集成度器件（如纳米级芯片）。
  • 常见类型：聚乙烯醇肉桂酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等。

• 负性抗蚀剂：

  • 反应机制：光照部分交联固化，未曝光部分溶解，图形与掩模版互补。
  • 优点：附着力强、灵敏度高，适用于低集成度器件。
  • 常见类型：环化橡胶、环氧树脂等。

3.特殊类型与应用

• 电子束抗蚀剂：专为电子束光刻设计，支持100-500纳米结构，用于掩模制造和纳米级光刻（如多层工艺），属于正性抗蚀剂。
• 应用领域：集成电路、微机电系统（MEMS）、光子器件、平板显示器等。

4.核心作用

抗蚀剂通过选择性保护基片表面，实现微米/纳米级图形的精确转移，是微加工工艺中不可或缺的功能材料。

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