英語翻譯：

【化】 anticorrosive additive; resist

分詞翻譯：

抗的英語翻譯：

contend with; defy; fight; refuse; repel; resist
【醫】 Adv.; contra-; ob-

蝕的英語翻譯：

corrode; erode; lose

劑的英語翻譯：

【醫】 agent

專業解析

抗蝕劑（photoresist）是半導體制造和微電子加工領域的關鍵材料，中文又稱光刻膠，英文對應術語包含"photoresist"或"resist"。其核心功能是通過光化學反應形成微細圖形，作為臨時性保護層阻擋後續蝕刻或離子注入工序。

從組成結構分析，抗蝕劑主要由三部分構成：

1. 樹脂基質：提供機械支撐與化學穩定性，常用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等聚合物
2. 感光劑：引發光化學反應的活性成分，如重氮萘醌類化合物
3. 溶劑體系：調節黏度實現均勻塗布，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）

根據光化學反應特性可分為：

• 正性抗蝕劑：曝光區域溶解性增強，顯影後形成與掩模版相同圖案
• 負性抗蝕劑：曝光區域交聯固化，顯影後保留未曝光部分

在集成電路制造中，抗蝕劑的應用涉及完整工藝流程：

1. 旋轉塗布（Spin Coating）形成均勻薄膜
2. 軟烘烤（Soft Bake）去除溶劑
3. 紫外曝光（UV Lithography）完成圖形轉移
4. 顯影（Development）溶解可溶區域
5. 硬烘烤（Hard Bake）增強結構穩定性

參考文獻：

1. 《半導體制造技術基礎》第3章微影制程（高等教育出版社）
2. 國際純粹與應用化學聯合會光化學術語标準（IUPAC Technical Report）

網絡擴展解釋

抗蝕劑（又稱光刻膠、光阻劑）是一種對光或電子能量敏感的高分子聚合物材料，主要用于微電子制造等領域。以下是詳細解釋：

1.基本定義

抗蝕劑是一類通過光照或電子束照射後發生化學性質變化（如溶解度改變）的材料，能将掩模版上的圖形轉移到基片表面。它在半導體、平闆顯示、太陽能光伏等産業中起關鍵作用。

2.分類與特性

• 正性抗蝕劑：

  • 反應機制：光照部分發生降解，顯影時被溶解，圖形與掩模版一緻。
  • 優點：分辨率高、曝光容限大、適合高集成度器件（如納米級芯片）。
  • 常見類型：聚乙烯醇肉桂酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等。

• 負性抗蝕劑：

  • 反應機制：光照部分交聯固化，未曝光部分溶解，圖形與掩模版互補。
  • 優點：附着力強、靈敏度高，適用于低集成度器件。
  • 常見類型：環化橡膠、環氧樹脂等。

3.特殊類型與應用

• 電子束抗蝕劑：專為電子束光刻設計，支持100-500納米結構，用于掩模制造和納米級光刻（如多層工藝），屬于正性抗蝕劑。
• 應用領域：集成電路、微機電系統（MEMS）、光子器件、平闆顯示器等。

4.核心作用

抗蝕劑通過選擇性保護基片表面，實現微米/納米級圖形的精确轉移，是微加工工藝中不可或缺的功能材料。

分類

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