表面势垒晶体管英文解释翻译、表面势垒晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 surface barrier transistor

分词翻译：

表面势垒的英语翻译：

【计】 surface barrier

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

表面势垒晶体管（Surface Barrier Transistor）是一种早期发展的重要晶体管类型，其核心特征在于利用金属与半导体接触形成的表面势垒（肖特基势垒）作为载流子注入或收集的结，而非传统的PN结。以下从汉英词典角度对其详细解释：

基本结构与原理 (Basic Structure and Principle)
- 中文释义：该晶体管由半导体基片（通常是N型锗或硅）构成，其两侧通过特殊工艺（如电化学蚀刻）形成极薄的区域。发射极和集电极并非通过合金法形成PN结，而是由金属（如铟）直接沉积在半导体表面形成的金属-半导体接触（肖特基接触）构成。发射结和集电结处的肖特基势垒分别控制着载流子的注入与收集。
- 英文对照： Surface Barrier Transistor - A transistor type where the emitter and collector junctions are formed by metal-semiconductor contacts (Schottky barriers) deposited onto a thin semiconductor base region, typically created by electrochemical etching, rather than by conventional PN junctions.
- 来源：知识库 (基于半导体器件物理原理)。
关键工艺特点 (Key Fabrication Feature)
- 中文释义：其标志性工艺是使用电解液蚀刻半导体晶片，在两侧形成极薄（可达微米甚至亚微米量级）的基区。这种工艺使得基区宽度可以做得非常小，远小于早期合金结晶体管。
- 英文对照： Electrochemical Etching - A defining fabrication step involving the use of an electrolyte to etch the semiconductor wafer from both sides, creating an extremely thin base region critical to the device's performance.
- 来源：知识库 (基于半导体制造工艺史)。
性能优势 (Performance Advantages)
- 中文释义：由于基区极薄且金属电极直接接触，表面势垒晶体管具有非常低的基极电阻和极小的基极-集电极电容。这使得它在高频（射频）应用中的性能显著优于同时期的合金结晶体管，能够工作在更高的频率下。
- 英文对照： High-Frequency Operation - The extremely thin base and the metal-semiconductor contacts result in low base resistance and small collector capacitance, enabling superior performance at high frequencies compared to alloy-junction transistors of the era.
- 来源：知识库 (基于电子器件特性分析)。
历史地位与应用 (Historical Significance and Application)
- 中文释义：表面势垒晶体管（如Philco公司开发的型号）在1950年代是高频晶体管技术的重要突破，广泛应用于早期的无线电通信、雷达和计算机等设备中。它是后续更先进的扩散型晶体管（如台面晶体管、平面晶体管）发展的重要先驱。
- 英文对照： Historical Importance - Represented a significant advancement in high-frequency transistor technology in the 1950s (e.g., by Philco), finding use in early radios, radar, and computers, and paving the way for diffused transistors like mesa and planar types.
- 来源：知识库 (基于电子技术发展史)。
现代视角 (Modern Context)
- 中文释义：随着平面工艺和硅基扩散/外延技术的成熟，表面势垒晶体管因其相对复杂的制造工艺和性能限制，已被更可靠、集成度更高、性能更优越的现代双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）所取代。但其利用肖特基势垒的概念在现代半导体器件（如肖特基二极管、MESFET、HEMT）中仍有重要应用。
- 英文对照： Superseded Technology - Largely superseded by modern silicon planar bipolar junction transistors (BJTs) and field-effect transistors (FETs) due to advancements in diffusion, epitaxy, and integrated circuit fabrication, offering better reliability, integration, and performance. However, the concept of Schottky barriers remains vital in devices like Schottky diodes, MESFETs, and HEMTs.
- 来源：知识库 (基于半导体器件演进历程)。

网络扩展解释

表面势垒晶体管是一种利用半导体表面形成的电势差（即表面势垒）来控制电流的半导体器件。以下是其核心要点：

表面势垒的形成
- 表面势垒通常由两种机制产生：
  - 金属-半导体接触：当金属与半导体表面接触时，因电子能级差异形成势垒（类似“堤坝”），电子需足够能量才能越过。
  - 表面原子排列中断：半导体表面原子排列不连续，加上氧化或污染等外界因素，导致表面电子能态与内部不同。例如，N型材料表面能带向上弯曲，P型则向下弯曲，形成电势差。
晶体管的工作原理
表面势垒通过调节电势差的高低，控制载流子（电子或空穴）的流动，实现电流的开关或放大功能。其特性与传统晶体管类似，但利用表面势垒效应可能具备更高响应速度或特定场景的优化性能。
基本结构与材料
通常以硅、锗等半导体材料制成，结合金属电极或掺杂工艺构建表面势垒区域，具有体积小、抗震性强、功耗低等优点。
应用领域
主要用于高频电路、检波器、放大器等电子设备，尤其在需要快速开关或低损耗的场景中发挥作用。

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