英语翻译：

【计】 parasitic capacitance; spurious capacitance; stray capacity

相关词条：

1.straycapacitance  2.shuntcapacitance  3.parasiticcapacity  4.spuriouscapacitance  5.straycapacity  

分词翻译：

寄生的英语翻译：

【医】 parasitism; parasitize; ramuli visci seu loranthi

电容的英语翻译：

capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity

专业解析

寄生电容（Parasitic Capacitance）是电子工程中不可忽视的非理想特性，指电路系统中因导体间绝缘介质或物理布局非故意形成的电容效应。其英文术语"Parasitic Capacitance"直接反映了该现象的"非设计性"特征——如同寄生物般依附于主体结构存在。

从物理机制分析，寄生电容主要由以下两种形式产生：

1. 导体间电场耦合：相邻导线或元件引脚在高频电场作用下形成电荷存储效应，典型值为0.1-10pF量级（引自《微电子电路设计》第5版）；
2. 半导体结电容：PN结在反向偏置时产生的耗尽层电容，与掺杂浓度呈负相关（参考IEEE Std 315-1975）。

该现象对电路性能的影响具有频率敏感性：在MHz以上频段，寄生电容会引发信号完整性劣化、功率损耗增加及谐振频率偏移等问题。例如PCB板级设计中，1cm平行走线可能产生约3pF的互容，导致100MHz信号产生约20%的幅度衰减。

工程实践中常采用三维场仿真软件（如ANSYS HFSS）进行寄生参数提取，并通过以下手段抑制：

• 优化布线拓扑，缩短平行走线长度
• 采用接地屏蔽层隔离敏感信号
• 选择介电常数更低的基板材料 （方法依据《高速数字系统设计》第3章）

网络扩展解释

寄生电容是电子电路中非本意产生的电容效应，也称为杂散电容或副电容。以下是综合多个来源的详细解释：

1.定义与本质

寄生电容是导体、元件或电路之间因物理结构靠近而自然形成的电容。例如，PCB导线之间、芯片引脚与基板之间都可能产生这种电容。它并非设计所需，却普遍存在于电路中。

2.产生原因

• 导体间电场作用：任何两个存在电势差的导体靠近时，电场会储存电荷，形成电容。
• 元件布局与材料：PCB层间绝缘材料、接插件间距等物理因素会加剧寄生电容。
• 高频特性：电阻、电感等元件在高频下会表现出等效电容特性（如ESL、ESR）。

3.影响与挑战

• 高频电路受限：寄生电容在高频时会限制带宽，导致信号延迟或失真。
• 干扰敏感系统：例如电容传感器的寄生电容会引入不稳定干扰，影响测量精度。
• 电路参数偏移：严重时可能改变电路原有特性，甚至导致功能异常。

4.应用与应对

• 设计考量：在射频系统、高速数字电路（如DRAM）中需通过优化布线、缩短导线长度来减少寄生电容。
• 建模分析：高频电路仿真时需将寄生电容纳入等效电路模型（如电阻的并联电容效应）。

5.典型场景示例

• 传感器干扰：极板与周围物体形成的寄生电容会干扰传感器输出。
• 放大器带宽限制：晶体管输入端的寄生电容会降低高频响应性能。

如需进一步了解具体电路中的寄生电容计算或抑制方法，可参考电子工程领域的专业文献或设计手册。

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