金属氧化物半导体阵列英文解释翻译、金属氧化物半导体阵列的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 MOS array

分词翻译：

金属氧化物的英语翻译：

【计】 dysphasia

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

阵的英语翻译：

a period of time; battle array; blast; front
【机】 array

列的英语翻译：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【计】 COL; column
【医】 series

专业解析

金属氧化物半导体阵列（Metal-Oxide-Semiconductor Array）是集成电路中的核心结构，由多个重复的MOS单元按特定几何排列构成。以下从术语定义、结构特征和应用场景三方面解析：

一、术语汉英对照与基础定义

金属 (Metal)：指栅电极材料（现代工艺中多采用多晶硅替代金属）
氧化物 (Oxide)：通常为二氧化硅（SiO₂）绝缘层
半导体 (Semiconductor)：单晶硅衬底
阵列 (Array)：二维周期性排列的单元集合
该结构本质是通过栅压控制半导体表面导电沟道的开关阵列，构成数字电路的基本单元（如SRAM、DRAM存储单元）或传感器像素单元。

二、核心结构特征

多层堆叠架构
每单元包含：
- 栅极（Gate）→ 控制电荷通道
- 氧化层（Gate Oxide）→ 绝缘层（厚度≈1-2nm）
- 源/漏区（Source/Drain）→ 掺杂半导体区域
  结构来源：半导体器件物理基础（Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices）
阵列化实现方式
- 通过光刻工艺在晶圆上重复制造相同MOS单元
- 单元间通过金属互连层布线（Back-End-of-Line工艺）
- 共享衬底减少寄生效应

三、典型应用场景

CMOS图像传感器
每个像素包含一个光电二极管与MOS晶体管阵列，实现光信号到电信号的转换（例：手机摄像头传感器）

应用参考：索尼半导体技术白皮书
存储器芯片
- DRAM阵列：电容+MOS管构成存储单元
- NAND闪存：浮栅MOS管阵列实现数据存储
  行业标准：JEDEC固态技术协会
数字逻辑电路
数百万MOSFET阵列构成CPU/GPU的核心逻辑门电路，通过布尔运算执行指令。

引用说明

因技术术语定义属基础学科共识，本文内容综合参考：

美国物理学会《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）对MOS结构能带理论的论述
IEEE电子器件学会（EDS）技术文档对纳米级MOSFET阵列的标准化定义
清华大学《微电子学概论》教材（王志华等编著）第四章

注：部分专业文献需订阅访问，建议通过学术数据库（如IEEE Xplore、SpringerLink）检索原文。

网络扩展解释

“金属氧化物半导体阵列”（MOS array）是集成电路领域的一种结构设计，其核心是多个金属氧化物半导体（MOS）单元按特定规则排列形成的集成模块。以下是详细解释：

1.基本结构

MOS阵列由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）三部分组成：

金属层：通常作为栅极，控制电流通断；
氧化物层（如二氧化硅）：作为绝缘层，隔离金属与半导体；
半导体层（如硅或铟镓锌氧化物）：作为沟道层，承载电荷传输。

2.技术特点

高集成度：阵列结构可大规模集成MOS单元，提升芯片密度；
低功耗：因输入阻抗高，静态功耗极低，适合移动设备；
工艺简单：相比双极型晶体管，制造步骤更少，成本更低。

3.应用领域

显示技术：如IGZO（氧化铟镓锌）阵列用于高分辨率显示屏的TFT驱动层；
数字电路：CMOS互补结构（P沟道与N沟道组合）广泛用于微处理器、存储器等；
传感器：高密度阵列可用于光感或压力传感元件。

4.性能限制

虽然MOS阵列有低功耗优势，但受限于载流子迁移率，工作频率通常低于其他类型晶体管，多用于低频或中速电路。

如需进一步了解具体技术参数或应用案例，可参考（氧化物半导体显示技术）和（MOS集成电路原理）。