金屬氧化物半導體陣列英文解釋翻譯、金屬氧化物半導體陣列的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 MOS array

分詞翻譯：

金屬氧化物的英語翻譯：

【計】 dysphasia

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

陣的英語翻譯：

a period of time; battle array; blast; front
【機】 array

列的英語翻譯：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【計】 COL; column
【醫】 series

專業解析

金屬氧化物半導體陣列（Metal-Oxide-Semiconductor Array）是集成電路中的核心結構，由多個重複的MOS單元按特定幾何排列構成。以下從術語定義、結構特征和應用場景三方面解析：

一、術語漢英對照與基礎定義

金屬 (Metal)：指栅電極材料（現代工藝中多采用多晶矽替代金屬）
氧化物 (Oxide)：通常為二氧化矽（SiO₂）絕緣層
半導體 (Semiconductor)：單晶矽襯底
陣列 (Array)：二維周期性排列的單元集合
該結構本質是通過栅壓控制半導體表面導電溝道的開關陣列，構成數字電路的基本單元（如SRAM、DRAM存儲單元）或傳感器像素單元。

二、核心結構特征

多層堆疊架構
每單元包含：
- 栅極（Gate）→ 控制電荷通道
- 氧化層（Gate Oxide）→ 絕緣層（厚度≈1-2nm）
- 源/漏區（Source/Drain）→ 摻雜半導體區域
  結構來源：半導體器件物理基礎（Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices）
陣列化實現方式
- 通過光刻工藝在晶圓上重複制造相同MOS單元
- 單元間通過金屬互連層布線（Back-End-of-Line工藝）
- 共享襯底減少寄生效應

三、典型應用場景

CMOS圖像傳感器
每個像素包含一個光電二極管與MOS晶體管陣列，實現光信號到電信號的轉換（例：手機攝像頭傳感器）

應用參考：索尼半導體技術白皮書
存儲器芯片
- DRAM陣列：電容+MOS管構成存儲單元
- NAND閃存：浮栅MOS管陣列實現數據存儲
  行業标準：JEDEC固态技術協會
數字邏輯電路
數百萬MOSFET陣列構成CPU/GPU的核心邏輯門電路，通過布爾運算執行指令。

引用說明

因技術術語定義屬基礎學科共識，本文内容綜合參考：

美國物理學會《應用物理評論》（Applied Physics Reviews）對MOS結構能帶理論的論述
IEEE電子器件學會（EDS）技術文檔對納米級MOSFET陣列的标準化定義
清華大學《微電子學概論》教材（王志華等編著）第四章

注：部分專業文獻需訂閱訪問，建議通過學術數據庫（如IEEE Xplore、SpringerLink）檢索原文。

網絡擴展解釋

“金屬氧化物半導體陣列”（MOS array）是集成電路領域的一種結構設計，其核心是多個金屬氧化物半導體（MOS）單元按特定規則排列形成的集成模塊。以下是詳細解釋：

1.基本結構

MOS陣列由金屬（Metal）、氧化物（Oxide）和半導體（Semiconductor）三部分組成：

金屬層：通常作為栅極，控制電流通斷；
氧化物層（如二氧化矽）：作為絕緣層，隔離金屬與半導體；
半導體層（如矽或铟镓鋅氧化物）：作為溝道層，承載電荷傳輸。

2.技術特點

高集成度：陣列結構可大規模集成MOS單元，提升芯片密度；
低功耗：因輸入阻抗高，靜态功耗極低，適合移動設備；
工藝簡單：相比雙極型晶體管，制造步驟更少，成本更低。

3.應用領域

顯示技術：如IGZO（氧化铟镓鋅）陣列用于高分辨率顯示屏的TFT驅動層；
數字電路：CMOS互補結構（P溝道與N溝道組合）廣泛用于微處理器、存儲器等；
傳感器：高密度陣列可用于光感或壓力傳感元件。

4.性能限制

雖然MOS陣列有低功耗優勢，但受限于載流子遷移率，工作頻率通常低于其他類型晶體管，多用于低頻或中速電路。

如需進一步了解具體技術參數或應用案例，可參考（氧化物半導體顯示技術）和（MOS集成電路原理）。