
【计】 memory cell diagram
【计】 memory cell; MOS storage cell; storage cell; storage location
store cell; store location; unit of storage
【化】 memory cell
【经】 location
chart; drawing; fig.; map; plot; picture; intention; attempt; plan
【计】 diagram; graphtyper
【化】 diagram
【医】 chart; column diagram; diagram; graph; map; picture; schema; scheme
sheet
在计算机体系结构与数字电路设计中,"存储单元图"对应的英文术语为"Memory Cell Diagram"或"Storage Unit Schematic",指用图形化方式展示半导体存储器基本构成单元的工程图纸。该图示通常包含以下核心要素:
晶体管阵列:由MOSFET构成的双稳态电路,用于保持二进制状态(0/1),常见于SRAM单元设计。加州大学伯克利分校《数字集成电路设计》课程指出,典型6晶体管结构能实现非破坏性读取。
电容结构:DRAM单元的核心元件,通过电荷存储实现数据保持。美光科技技术白皮书显示,现代DDR5存储器单元电容容量已降至10fF量级。
互连层:包含位线(Bit Line)、字线(Word Line)和电源线,德州仪器模拟技术手册强调其阻抗匹配对存取速度有决定性影响。
三维堆叠:英特尔Optane存储器采用3D XPoint技术,单元图显示存储单元垂直堆叠于硅基板,突破传统平面布局限制。
该图示在芯片设计阶段需遵循IEEE 1801-2015标准规定的低功耗设计规范,包含电源门控和电压域划分标注。三星电子Foundry设计手册特别注明,10nm以下工艺需在单元图中标注量子隧穿效应补偿电路。
关于“存储单元图”的解释可能存在不同理解,需要结合具体上下文判断。以下是两种常见角度的解释:
存储单元的结构图示
存储单元组成的图结构
注意:若涉及具体领域(如硬件设计、数据库存储结构),建议补充说明应用场景,以便提供更精准的解释。
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