晶膜电晶体英文解释翻译、晶膜电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 epitaxial transistor

分词翻译：

晶膜的英语翻译：

【电】 epitaxial

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

晶膜电晶体（Crystalline Film Transistor）是薄膜晶体管（Thin-Film Transistor, TFT）的一种高级形态，特指采用结晶化半导体材料（如多晶硅、单晶硅或金属氧化物半导体）作为沟道层的场效应晶体管。其核心特征在于“晶膜”——即具有规则原子排列的薄膜结构，相较于非晶硅（a-Si）TFT，晶膜电晶体具备更高的载流子迁移率和更稳定的电学性能。以下是详细解释：

一、术语定义与结构特性

汉英对照解析
- 晶膜（Crystalline Film）：指通过激光退火（如ELA）、固相结晶化（SPC）或外延生长技术形成的结晶态半导体薄膜，例如低温多晶硅（LTPS）或铟镓锌氧化物（IGZO）。
- 电晶体（Transistor）：源自晶体管（台湾译名），此处特指场效应晶体管（FET）结构，包含栅极、源极、漏极及半导体沟道层。
  术语来源：IEEE Electron Devices Society标准术语库
核心结构
晶膜电晶体的典型结构为“顶栅”或“底栅”设计，其中：
- 栅极绝缘层：二氧化硅（SiO₂）或氮化硅（SiNₓ）薄膜；
- 沟道层：结晶化半导体（如LTPS迁移率可达100 cm²/V·s，远高于a-Si的<1 cm²/V·s）；
- 电极：钼/铝/铜金属堆叠，实现低电阻互联。

二、性能优势与应用领域

电学特性
- 高迁移率：晶膜结构减少载流子散射，提升开关速度（例：IGZO TFT迁移率10–50 cm²/V·s）；
- 低功耗：高开关比（ON/OFF Ratio >10⁷）降低静态电流；
- 均匀性：晶界控制技术改善大面积均匀性，适用于高分辨率面板。
  数据来源：Nature Electronics《金属氧化物TFT技术综述》
主流应用场景
- AMOLED显示驱动：LTPS-TFT为当前AMOLED主流背板技术，支撑柔性屏与屏下摄像头（如三星Galaxy系列）；
- 高刷新率LCD：IGZO-TFT用于高端液晶面板（如苹果Pro Display XDR）；
- 新兴领域：透明显示器（铟锡氧化物基TFT）、神经形态计算（氧化物半导体突触晶体管）。

三、技术演进与产业地位

代际发展：
第一代a-Si TFT → 第二代LTPS-TFT → 第三代金属氧化物TFT（IGZO, InZnO等）。

产业占比：2023年全球高端显示面板中，晶膜电晶体渗透率超75%（DSCC数据）。
挑战：LTPS成本较高，IGZO量产稳定性仍需优化，MicroLED驱动需进一步微缩化。

权威参考文献

IEEE EDS术语标准
场效应器件术语定义

Display Supply Chain Consultants (DSCC)
2023显示技术报告

Nature Electronics
金属氧化物TFT的进展与挑战

晶膜电晶体材料特性对比表

材料类型	迁移率 (cm²/V·s)	开关比	主要应用
非晶硅 (a-Si)	0.5–1	10⁶–10⁷	低端LCD
低温多晶硅 (LTPS)	50–300	>10⁸	AMOLED, 高端LCD
铟镓锌氧化物 (IGZO)	10–50	>10⁹	4K/8K LCD, 透明屏

数据整合自IEEE、SID及DSCC行业报告

网络扩展解释

“晶膜电晶体”是一个专业术语，其英文对应为epitaxial transistor（）。以下是详细解释：

1.词义分解

晶膜：即“外延”（epitaxial），指在半导体基片（如硅或锗）上通过化学气相沉积等方式生长出一层单晶薄膜的工艺。这种薄膜与基片晶体结构高度一致，用于改善器件性能。
电晶体：对应“晶体管”（transistor），是一种利用半导体材料制成的电子元件，用于放大、开关或调制电信号。

2.技术定义

晶膜电晶体属于外延工艺制造的晶体管。其特点是通过外延层优化电流传输效率，常见于高频、高功率场景，例如射频放大器、通信设备等（）。这种结构可减少基区电阻，提升器件的频率响应和功率处理能力。

3.与其他晶体管的区别

普通双极性晶体管（BJT）：通过掺杂形成PN结，结构简单但高频性能受限（）。
场效应晶体管（FET）：通过栅极电压控制电流，功耗较低（）。
晶膜电晶体：因外延层的高纯度单晶特性，适用于需要高频率、高稳定性的场景。

4.应用领域

高频电路：如微波通信、雷达系统。
功率器件：用于电力电子设备的开关和稳压（）。
集成电路：外延工艺在芯片制造中广泛应用，可提升集成密度和性能（）。

“晶膜电晶体”本质是采用外延技术制造的晶体管，结合了材料科学与电子工程的特性，适用于高性能需求场景。如需进一步了解外延工艺或具体电路设计，可参考半导体器件相关文献。