扩散平面晶体管英文解释翻译、扩散平面晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused planar transistor

分词翻译：

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

平面晶体管的英语翻译：

【计】 planar transistor

专业解析

扩散平面晶体管（Diffused Planar Transistor）是一种基于半导体平面工艺制造的晶体管，其名称来源于核心制造工艺（扩散法）和结构特征（平面电极布局）。以下是详细解释：

一、术语构成解析

扩散（Diffused）
指制造过程中采用热扩散技术，将杂质原子（如硼、磷）渗入硅晶圆表面形成PN结。该工艺通过高温环境使杂质从气相或固相源向硅内部扩散，精确控制掺杂浓度和结深。
平面（Planar）
描述器件的电极结构布局：发射极、基极和集电极均位于晶体管的同一平面上。这种设计通过二氧化硅层实现电极绝缘隔离，区别于早期台面晶体管的垂直电极结构。
晶体管（Transistor）
核心功能为电流放大与开关控制，属于双极结型晶体管（BJT），通过基极电流调控集电极-发射极间电流。

二、器件结构与制造工艺

结构特征
- 以硅片为衬底，通过光刻、扩散形成三层掺杂区域（NPN或PNP型）。
- 表面覆盖二氧化硅钝化层，减少表面态缺陷，提升稳定性。
- 金属电极（铝或金）通过氧化层开孔实现欧姆接触。
核心工艺步骤
```
硅片氧化 → 光刻图形化 → 杂质扩散 → 电极金属化
```
其中扩散工艺需精确控制温度（900°C–1200°C）与时间，实现纳米级结深调控。

三、技术意义与历史背景

革命性突破
由贝尔实验室的Jean Hoerni于1959年发明，平面工艺解决了早期晶体管表面漏电问题，使器件可靠性提升百倍以上，直接推动了集成电路的诞生。
产业影响
平面技术成为现代半导体制造的基础，当前CMOS工艺仍沿用其核心思想（如扩散掺杂、平面电极）。戈登·摩尔曾指出：“平面工艺是硅技术发展的分水岭”。

四、权威定义参考

根据IEEE标准术语库（IEEE Std 100）：

Diffused Planar Transistor
A bipolar transistor fabricated by diffusing impurities into a semiconductor substrate through openings in an oxide mask, with all junctions terminating on a single planar surface.

参考文献来源

《半导体器件物理与工艺》（施敏著），第4章扩散工艺
IEEE电子器件汇刊 "Planar Silicon Transistors and Diodes"（1961）
贝尔实验室技术报告 "The Planar Transistor"（1960）
计算机历史博物馆 "The Silicon Engine: Planar Process" 技术档案

网络扩展解释

“扩散平面晶体管”是一种结合了扩散工艺和平面结构的半导体器件，属于双极型晶体管的一种。以下是详细解释：

1.基本定义

扩散平面晶体管是通过杂质扩散技术在半导体材料表面形成不同掺杂区域的晶体管。其核心结构为NPN或PNP型三层，表面平坦，因此称为“平面”。

2.制造工艺

扩散技术：基区通常用硼（P型）扩散形成，发射区用磷（N+型）扩散完成。集电区则可能通过外延生长（如N型外延层）实现。
平面化处理：通过光刻和蚀刻工艺使晶体管表面平坦化，减少结构缺陷。

3.结构与特点

杂质分布：基区杂质浓度呈梯度分布（表面高、内部低），形成自建电场，加速载流子运动，提升开关速度和频率特性。
漂移效应：属于漂移型晶体管，载流子在基区同时存在扩散和漂移运动，性能优于均匀基区晶体管。

4.性能优势

高频特性好：漂移电场缩短载流子渡越时间，适合高频应用。
稳定性高：平面结构降低表面漏电流，提高器件可靠性。

5.应用与分类

主要用于放大、开关等电路，属于双极结型晶体管（BJT）的子类。
按制造工艺可分为扩散晶体管、合金晶体管等，扩散平面晶体管是其中的典型代表。

参考资料

更多技术细节可参考（双极型晶体管工艺）和（平面晶体管结构分析）。