擴散平面晶體管英文解釋翻譯、擴散平面晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused planar transistor

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

平面晶體管的英語翻譯：

【計】 planar transistor

專業解析

擴散平面晶體管（Diffused Planar Transistor）是一種基于半導體平面工藝制造的晶體管，其名稱來源于核心制造工藝（擴散法）和結構特征（平面電極布局）。以下是詳細解釋：

一、術語構成解析

擴散（Diffused）
指制造過程中采用熱擴散技術，将雜質原子（如硼、磷）滲入矽晶圓表面形成PN結。該工藝通過高溫環境使雜質從氣相或固相源向矽内部擴散，精确控制摻雜濃度和結深。
平面（Planar）
描述器件的電極結構布局：發射極、基極和集電極均位于晶體管的同一平面上。這種設計通過二氧化矽層實現電極絕緣隔離，區别于早期台面晶體管的垂直電極結構。
晶體管（Transistor）
核心功能為電流放大與開關控制，屬于雙極結型晶體管（BJT），通過基極電流調控集電極-發射極間電流。

二、器件結構與制造工藝

結構特征
- 以矽片為襯底，通過光刻、擴散形成三層摻雜區域（NPN或PNP型）。
- 表面覆蓋二氧化矽鈍化層，減少表面态缺陷，提升穩定性。
- 金屬電極（鋁或金）通過氧化層開孔實現歐姆接觸。
核心工藝步驟
```
矽片氧化 → 光刻圖形化 → 雜質擴散 → 電極金屬化
```
其中擴散工藝需精确控制溫度（900°C–1200°C）與時間，實現納米級結深調控。

三、技術意義與曆史背景

革命性突破
由貝爾實驗室的Jean Hoerni于1959年發明，平面工藝解決了早期晶體管表面漏電問題，使器件可靠性提升百倍以上，直接推動了集成電路的誕生。
産業影響
平面技術成為現代半導體制造的基礎，當前CMOS工藝仍沿用其核心思想（如擴散摻雜、平面電極）。戈登·摩爾曾指出：“平面工藝是矽技術發展的分水嶺”。

四、權威定義參考

根據IEEE标準術語庫（IEEE Std 100）：

Diffused Planar Transistor
A bipolar transistor fabricated by diffusing impurities into a semiconductor substrate through openings in an oxide mask, with all junctions terminating on a single planar surface.

參考文獻來源

《半導體器件物理與工藝》（施敏著），第4章擴散工藝
IEEE電子器件彙刊 "Planar Silicon Transistors and Diodes"（1961）
貝爾實驗室技術報告 "The Planar Transistor"（1960）
計算機曆史博物館 "The Silicon Engine: Planar Process" 技術檔案

網絡擴展解釋

“擴散平面晶體管”是一種結合了擴散工藝和平面結構的半導體器件，屬于雙極型晶體管的一種。以下是詳細解釋：

1.基本定義

擴散平面晶體管是通過雜質擴散技術在半導體材料表面形成不同摻雜區域的晶體管。其核心結構為NPN或PNP型三層，表面平坦，因此稱為“平面”。

2.制造工藝

擴散技術：基區通常用硼（P型）擴散形成，發射區用磷（N+型）擴散完成。集電區則可能通過外延生長（如N型外延層）實現。
平面化處理：通過光刻和蝕刻工藝使晶體管表面平坦化，減少結構缺陷。

3.結構與特點

雜質分布：基區雜質濃度呈梯度分布（表面高、内部低），形成自建電場，加速載流子運動，提升開關速度和頻率特性。
漂移效應：屬于漂移型晶體管，載流子在基區同時存在擴散和漂移運動，性能優于均勻基區晶體管。

4.性能優勢

高頻特性好：漂移電場縮短載流子渡越時間，適合高頻應用。
穩定性高：平面結構降低表面漏電流，提高器件可靠性。

5.應用與分類

主要用于放大、開關等電路，屬于雙極結型晶體管（BJT）的子類。
按制造工藝可分為擴散晶體管、合金晶體管等，擴散平面晶體管是其中的典型代表。

參考資料

更多技術細節可參考（雙極型晶體管工藝）和（平面晶體管結構分析）。