栅阴极电容英文解释翻译、栅阴极电容的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid-cathode capacitance

分词翻译：

栅的英语翻译：

bar

阴极的英语翻译：

cathode; negative pole
【化】 cathode
【医】 Ca; cathelectrode; cathode; Ka.; kathode; negative electrode
negative pole

电容的英语翻译：

capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity

专业解析

栅阴极电容（Grid-Cathode Capacitance）是电子管（真空管）内部电极间寄生电容的一种，指栅极（Grid）与阴极（Cathode）之间的固有电容，通常用符号 ( C_{gk} ) 表示。以下是详细解释：

一、定义与物理意义

栅阴极电容是电子管内部结构导致的固有寄生参数。由于栅极与阴极金属电极相互靠近且中间由真空或介质隔离，形成类似平行板电容器的结构，其电容值由电极面积、间距及介质特性决定。该电容属于极间电容（Interelectrode Capacitance）的重要组成部分，典型值在皮法（pF）量级，例如小型三极管约1-5 pF。

二、对电路性能的影响

高频响应限制
在高频电路中，( C_{gk} ) 会与输入阻抗构成低通滤波网络，导致信号衰减和带宽下降。其容抗 ( Xc = frac{1}{2pi f C{gk}} ) 随频率升高而减小，分流输入信号电流。
米勒效应（Miller Effect）
在共阴极放大电路中，栅阴极电容会因放大器的电压增益被等效放大。若电压增益为 ( Av )，则输入端的等效米勒电容为 ( C{miller} = C_{gk}(1 + A_v) )，显著降低高频增益并可能引发振荡。

三、工程应用与优化

电路设计考量
设计射频放大器时需选用低 ( C{gk} ) 的电子管（如五极管替代三极管），或采用中和电路（Neutralization）抵消电容影响。例如，发射机中的功率管常通过外接电感与 ( C{gk} ) 谐振以提升效率。
现代替代技术
在半导体器件中，类似概念体现为MOSFET的栅源电容（( C_{gs} )），其影响机制与电子管一致，但数值更低（飞法量级）。

四、权威参考来源

电子管基础理论
美国无线电工程师协会（IRE）标准《电子管术语定义》明确将栅阴极电容列为关键参数（来源：IRE Standards, 1950）。
高频电路设计指南
《射频电路设计——理论与应用》（Reinhold Ludwig, 2000）详细分析了极间电容对放大器稳定性的影响及补偿方法（来源：Artech House Publishers）。
工业标准手册
通用电气（GE）《电子管特性手册》提供了常见电子管的实测 ( C_{gk} ) 数据表（来源：GE Technical Manuals, 1963）。

注：因搜索结果未提供可直接引用的网页链接，以上来源依据经典电子工程文献标注，实际引用时建议查阅IEEE Xplore、IET等学术数据库获取原文。

网络扩展解释

栅阴极电容是电子器件（如电子管或某些半导体器件）中栅极与阴极之间形成的电容，主要影响信号传输和高频性能。以下是详细解释：

基本定义
栅阴极电容指栅极与阴极之间的寄生电容，通常由两者之间的物理距离和介质材料决定。在电子管中，栅极靠近阴极，通过电场控制电流流动，而两者之间的电容会存储电荷，影响器件响应速度。
物理作用
- 存储电荷：栅极电压变化时，电容会充放电，导致电压建立或消失的延迟。
- 高频性能限制：电容值越大，高频信号通过时容抗（$X_C = frac{1}{2pi fC}$）越低，可能引起信号衰减或相位偏移。
- 反馈效应：在放大电路中，栅阴极电容可能形成反馈路径，导致电路振荡或失真。
应用场景差异
- 电子管：常见于早期放大器设计，栅阴极电容直接影响高频响应和稳定性。
- 半导体器件：在MOSFET中类似概念为栅源电容（而非栅阴），但原理相似，均影响开关速度和驱动设计。
优化方法
通过缩短栅极与阴极间距（减少介质厚度）或采用低介电常数材料，可降低电容值，从而提升高频性能和响应速度。

如需进一步了解具体器件中的参数计算或设计案例，可参考电子工程类教材或专业文献。